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0755-83044319
類型:P溝道
漏源電壓(Vdss):-30V
連續(xù)漏極電流(Id):-15A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@-10V,-10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.6V@250μA
產(chǎn)品介紹:IRF9317TR 低壓P溝道MOS管
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管IRF9317TR是一款高性能的P溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為需要高效電流控制和低功耗應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件以其卓越的電氣特性和緊湊的封裝,成為眾多電子系統(tǒng)中不可或缺的元件。通過精確控制柵極電壓(Vgs),IRF9317TR能夠高效地調(diào)節(jié)漏極至源極之間的電流(Id),適用于廣泛的開關(guān)和放大電路。
二、產(chǎn)品特性
低漏源電壓:IRF9317TR擁有-30V的漏源電壓(Vdss),這使得它能夠在低壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,適合應(yīng)用于對(duì)電壓敏感或需要低功耗的電路設(shè)計(jì)中。
大連續(xù)漏極電流:高達(dá)-15A的連續(xù)漏極電流(Id)能力,確保了在高負(fù)載條件下仍能保持高效的電流控制能力,適用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載或高電流需求的電路。
低導(dǎo)通電阻:在-10V的柵極電壓(Vgs)和-10A的漏極電流(Id)條件下,導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為8mΩ,這大大降低了器件在工作時(shí)的熱損耗,提高了能源效率。
低閾值電壓:僅需-1.6V的閾值電壓(Vgs(th)@Id)即可使器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),這意味著該MOS管對(duì)控制信號(hào)的響應(yīng)非常靈敏,有助于實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電流控制。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
高效能:低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力相結(jié)合,確保了高效的電流控制和能量轉(zhuǎn)換。
低功耗:優(yōu)化的電氣參數(shù)設(shè)計(jì),降低了器件在工作過程中的能耗,有助于提升整體系統(tǒng)效率。
快速響應(yīng):低閾值電壓使得IRF9317TR對(duì)控制信號(hào)響應(yīng)迅速,適用于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
可靠性高:采用先進(jìn)的制造工藝,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性,延長(zhǎng)了使用壽命。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
IRF9317TR廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
電源管理:如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等,用于實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)和電流控制。
電機(jī)驅(qū)動(dòng):在直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等驅(qū)動(dòng)電路中,提供穩(wěn)定的電流輸出,實(shí)現(xiàn)精確的速度和位置控制。
消費(fèi)電子:在智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備中,用于電池管理、充電控制等電路。
工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,作為關(guān)鍵元件參與各種傳感器和執(zhí)行器的驅(qū)動(dòng)控制。
五、注意事項(xiàng)
靜電防護(hù):在安裝和使用過程中,請(qǐng)務(wù)必注意靜電防護(hù),避免靜電放電對(duì)器件造成損害。
散熱設(shè)計(jì):雖然IRF9317TR具有較低的導(dǎo)通電阻,但在高負(fù)載條件下仍需考慮適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),以防止過熱。
電壓與電流限制:請(qǐng)確保在實(shí)際應(yīng)用中不超過器件的額定電壓(Vdss)和[敏感詞]連續(xù)漏極電流(Id),以保證器件的正常工作和長(zhǎng)期可靠性。
存儲(chǔ)與運(yùn)輸:請(qǐng)按照產(chǎn)品手冊(cè)中的建議進(jìn)行存儲(chǔ)和運(yùn)輸,避免暴露在[敏感詞]溫度、濕度或腐蝕性環(huán)境中。
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