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類型:P溝道
漏源電壓(Vdss):30V
連續(xù)漏極電流(Id):-4.2A
功率(Pd):450mW
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V
閾值電壓(Vgs(th)@Id):10V
產(chǎn)品名稱:低壓MOS管IRLML6401
IRLML6401是一種P溝道低壓MOS管,具有30V漏源電壓(Vdss)和4.2A連續(xù)漏極電流(Id)。此外,它還具有450mW的功率(Pd)和70mΩ的導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id),在4.5V的條件下。閾值電壓(Vgs(th)@Id)為10V。
該器件采用SOT-23封裝,具有小尺寸和高性能,適合在低壓應用中使用。
特點:
- 高效率:具有低導通電阻和低閾值電壓,能夠減少功率損耗和熱量產(chǎn)生。
- 低壓操作:30V漏源電壓和10V閾值電壓,適用于低壓應用。
- 高穩(wěn)定性:具有穩(wěn)定的電氣特性和封裝,保證長期可靠性。
- 小封裝:采用SOT-23封裝,具有小尺寸和高性能,適合在高密度PCB設計中使用。
應用:
IRLML6401適用于低壓開關電源、電機驅(qū)動器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、LED照明、電池保護和其他低壓應用。
注意事項:
- 在使用前請仔細閱讀產(chǎn)品規(guī)格書,并按照規(guī)定的條件進行使用。
- 使用時請注意防靜電,以避免器件損壞。
- 器件熱量較大,使用時請注意散熱。
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