對于Si，Ge，GaAs，SiC這些材料，都有較高的載流子遷移率，也就有較大的平均自由程，因而在室溫下，這些半導(dǎo)體材料的肖特基勢壘中的電流輸入機(jī)制主要是依靠多數(shù)載流子的熱電子發(fā)射機(jī)制。

這些材料組成的器件器件上的正向電壓增加后，器件中的IV特性曲線將偏離理論計算曲線，其實這主要是因為器件的串聯(lián)電阻的影響，在較大的正向?qū)娏髅芏认拢?lián)電阻導(dǎo)致的額外分壓會使實際加在肖特基結(jié)上的電壓下降。

當(dāng)肖特基二極管在反向偏置時，漏電流主要也是由熱電子發(fā)射所造成的，從理論上考慮，器件的反向漏電流密度其實應(yīng)該是一個恒定的值，而事實上，從實際器件的典型反向漏電曲線，我們知道，其漏電流是隨著反向偏壓的增加而逐漸增大的，而這一點對于器件的應(yīng)用來說是個不利的因素，因為會增加器件的功耗，從而造成能源的浪費。

器件在反偏電壓下漏電流密度增大的主要原因是，鏡像力引起的勢壘降低，從而導(dǎo)致的熱電子發(fā)射電流增加引起的，而如果減小器件肖特基結(jié)表面附件的峰值電場強(qiáng)度就可以改進(jìn)肖特基器件的反向阻斷特性。

由于SiC肖特基二極管由于耐高壓特性，多被用來應(yīng)用在高壓領(lǐng)域，如果利用平面肖特基結(jié)結(jié)構(gòu)，在很高的反向電壓下，肖特基結(jié)表面的電場強(qiáng)度就會很大，由鏡像力引起的勢壘降低效應(yīng)就會更加明顯，自然會使得器件具有比低壓平面肖特基器件更難以接受的高漏電特性。

對于整流器件，我們知道在電子設(shè)備廠商選型時，[敏感詞]步就是看器件的反向耐壓是否符合具體應(yīng)用的要求。對于肖特基二極管器件來說，此擊穿電壓主要就是器件的雪崩擊穿電壓。

雪崩擊穿的主要過程為：器件在不斷增強(qiáng)的反向偏壓下，勢壘區(qū)中的電場強(qiáng)度也逐漸增加，在勢壘區(qū)中的電子和空穴受到強(qiáng)的電場影響，會有很大的漂移動能，他們在漂移過程中與勢壘中的晶格原子發(fā)生碰撞，當(dāng)把價鍵中電子碰撞出來后，就會產(chǎn)生一對可以導(dǎo)電的電子空穴對，而這樣的載流子增加方式也就是載流子的倍增效應(yīng)。而當(dāng)器件中因為載流子的倍增效應(yīng)在耗盡區(qū)的載流子濃度達(dá)到無窮大時，器件就發(fā)生了雪崩擊穿。

在相同的反偏電壓下，對比不同器件耗盡區(qū)中的[敏感詞]電場強(qiáng)度的值，可以判斷件擊穿電壓的大小。另一方面，通過改變器件中的那些可以影響電場強(qiáng)度分布的器件結(jié)構(gòu)參數(shù)，可以降低一定的反向耐壓下器件中的[敏感詞]電場強(qiáng)度值，從而達(dá)到增加器件擊穿電壓的目的的。