服務(wù)熱線
0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):650V
連續(xù)漏極電流(Id):4A
功率(Pd):23.3W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.5V@250A
產(chǎn)品名稱:高壓MOS管SL4N65F
產(chǎn)品概述:
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流,適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝,便于安裝和散熱。
性能參數(shù):
- [敏感詞]漏極-源極電壓:650V
- [敏感詞]漏極電流:4A
- [敏感詞]導(dǎo)通電阻:2.6Ω@10V,2A
- 閾值電壓:4.5V@250A
- 輸入電容:850pF@25V
- 反向傳輸電容:1.2nF@25V
- 柵極電荷:11nC@10V
- 工作溫度范圍:-55℃ ~ +150℃@(Tj)
應(yīng)用領(lǐng)域:
高壓MOS管SL4N65F廣泛應(yīng)用于需要承受高電壓、大電流的場合,如電源、照明、電動工具等領(lǐng)域。
安裝說明:
1. 請在無靜電保護措施的情況下操作。
2. 安裝前請清潔散熱器和芯片表面,確保無塵、無油。
3. 芯片正面朝向散熱片,用合適的螺絲固定。
4. 注意安裝時不要損壞芯片,防止靜電干擾。
注意事項:
1. 請勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。
2. 使用時請按照使用說明書正確操作,以免對器件造成損壞。
3. 禁止對器件進行改裝和拆卸。
4. 當存儲器件時,請避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。
友情鏈接:站點地圖 薩科微官方微博 立創(chuàng)商城-薩科微專賣 金航標官網(wǎng) 金航標英文站
Copyright ?2015-2025 深圳薩科微半導(dǎo)體有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備20017602號