Rambus公司收購(gòu)的 Inphi DDR4 寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD) 是高性能、大容量企業(yè)和數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的理想選擇，可提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 I/O 性能和裕度。該驅(qū)動(dòng)器是 RDIMM 的關(guān)鍵組件，搭配我們的 DDR4 數(shù)據(jù)緩沖器使用時(shí)，也是 LRDIMM 的關(guān)鍵組件。

How the DDR4 Register Clock Driver works

Demand for in-memory computing has dramatically risen with the industry’s insatiable appetite for more, faster data. Our DDR4 RCD, iDDR4RCD-GS02, recently acquired from Inphi, is made for speed, reliability and power efficiency to meet the requirements for real-time, memory-intensive applications.

The DDR4 RCD is a critical component for both classes of server memory modules, RDIMMs and LRDIMMs.

The iDDR4RCD-GS02 32-bit 1:2 registering clock driver with parity is designed for 1.2 V VDD operation.

All inputs are pseudo-differential with an external or internal voltage reference. All outputs are full swing CMOS drivers optimized to drive single terminated 25 to 50 ohms traces in DDR4/DDR4L RDIMM and LRDIMM applications. The clock outputs Yn_t and Yn_c and control net outputs QxCKEn, QxCSn and QxODTn can be driven with different strengths to compensate for different DIMM net topologies. By disabling unused outputs the power consumption can be reduced.

The iDDR4RCD-GS02 register operates from a differential clock (CK_t and CK_c). Inputs are registered at the crossing of CK_t going HIGH, and CK_c going LOW. The input signals can be either re-driven to the outputs or they can be used to access device internal control registers when certain input conditions are met.

Rambus發(fā)布第二代RCD時(shí)鐘芯片為DDR5-5600服務(wù)器內(nèi)存打造

2021年10 月 15 日消息，美國(guó)內(nèi)存 IP 廠商 Rambus 今日宣布推出第二代 RCD 時(shí)鐘芯片（registering clock drivers），為下一代 DDR5-5600 服務(wù)器內(nèi)存條打造。該產(chǎn)品可以用于 DDR5 RDIMM 和 LRDIMM 內(nèi)存，可結(jié)合數(shù)據(jù)緩沖器 data buffers 使用，相比無(wú)緩沖的 DIMM 內(nèi)存帶寬、容量更高，性能更強(qiáng)，實(shí)現(xiàn) 5600 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。此外，RDIMM 和 LRDIMM 內(nèi)存，可以減少 CPU 的負(fù)載，提高信號(hào)的完整性。

Rambus 這種 RCD 時(shí)鐘芯片放置于內(nèi)存條的正中央，可以同時(shí)滿(mǎn)足雙通道的需求。圖中可以看出，每?jī)蓚€(gè) DRAM 顆粒搭配一個(gè) DB 緩沖芯片。

Rambus [敏感詞]代 RCD 芯片同樣適用于 DDR5 內(nèi)存，[敏感詞]速率支持 4800MT/s。官方表示，第二代 RCD 不但將數(shù)據(jù)傳輸速率提高了 17%，還可以降低功耗。目前，已經(jīng)將第二代 RCD 芯片的樣品提供給內(nèi)存廠商進(jìn)行研發(fā)，產(chǎn)品正式上市還需要一段時(shí)間，具體取決于英特爾下一代服務(wù)器平臺(tái)的發(fā)布時(shí)間。

解決方案產(chǎn)品

• 完全符合[敏感詞]的 JEDEC DDR4RCD02 標(biāo)準(zhǔn)

• 適用于 RDIMM 和 LRDIMM

• 2V Vdd 電源

• 運(yùn)行速度高達(dá) 2666 Mbps

• 基于頻率的多重設(shè)置功耗優(yōu)化

• 廣泛的溫度范圍：-5° C – 125° C

• 符合 ROHS

• 改進(jìn)后的 ESD/EOS 超過(guò) JEDEC 要求

高速內(nèi)存接口芯片組讓服務(wù)器性能騰飛

對(duì)服務(wù)器性能的需求持續(xù)飆升。在摩爾定律的影響開(kāi)始放緩之際，對(duì)支持當(dāng)今云服務(wù)和高級(jí)分析工具的大型內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)提出了新的要求。高速服務(wù)器內(nèi)存接口芯片組迎來(lái)了重要的新機(jī)遇，可以在不影響內(nèi)存容量的情況下實(shí)現(xiàn)高速內(nèi)存性能。希望優(yōu)化服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)設(shè)計(jì)并提高整體服務(wù)器性能和可靠性的企業(yè)應(yīng)認(rèn)真考慮優(yōu)化的 DDR4 內(nèi)存接口芯片組，提升服務(wù)器內(nèi)存模塊的性能。

寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)全球范圍內(nèi)主要廠商（品牌）
全球市場(chǎng)主要寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)商包括瀾起科技、瑞薩電子、Rambus等。

內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技研究報(bào)告

1、瀾起科技：技術(shù)領(lǐng)先的全球內(nèi)存接口芯片龍頭

1.1、瀾起科技：內(nèi)存接口芯片龍頭，云計(jì)算領(lǐng)域布局進(jìn)一步完善

瀾起科技于 2004 年成立，于 2019 年于科創(chuàng)板上市，是國(guó)際領(lǐng)先的高性能處理器 和全互連芯片設(shè)計(jì)公司。公司致力于為云計(jì)算和人工智能領(lǐng)域提供高性能、低功 耗的芯片解決方案，目前的產(chǎn)品包括內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片、PCIe Retimer 芯片、津逮 CPU 和混合安全內(nèi)存模組等，主要應(yīng)用于各類(lèi)服務(wù)器，終端 客戶(hù)涵蓋眾多知名的國(guó)內(nèi)外互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)及服務(wù)器廠商。

公司在 2017 年轉(zhuǎn)讓消費(fèi)電子芯片業(yè)務(wù)后，目前大部分收入來(lái)源于內(nèi)存接口芯片產(chǎn) 品和津逮服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品，其中內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件 之一。公司是全球內(nèi)存接口芯片龍頭廠商，占據(jù)全球市場(chǎng)的主要份額，直接客戶(hù) 為三星、海力士、美光、金士頓等內(nèi)存模組制造商（或其代銷(xiāo)商）。由于直接下游 DRAM 內(nèi)存行業(yè)集中度高，因此公司客戶(hù)也較為集中，2018、2019 年前五大客戶(hù) 收入占比均在 90%左右。

經(jīng)過(guò)前期的市場(chǎng)推廣和客戶(hù)培育，津逮 CPU 業(yè)務(wù)取得了突破性進(jìn)展，2021 年公 司津逮服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線(xiàn)實(shí)現(xiàn)收入 8.45 億元，較 2020 年增長(zhǎng) 27.5 倍，收入占比 達(dá)到 33.0%；同時(shí) PCIe 4.0 Retimer 系列芯片已于 2020 年 9 月成功量產(chǎn)，公司在 云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善。

1.2、DDR4 內(nèi)存接口芯片進(jìn)入生命周期后期，拖累公司近年業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)

2021 年隨著公司津逮服務(wù)器逐漸放量，收入端有較大幅度提升，但是 DDR4 內(nèi)存 接口芯片進(jìn)入生命周期中后期，產(chǎn)品價(jià)格有較大幅度下滑，拖累公司整體凈利潤(rùn) 有一定幅度下滑。

利潤(rùn)率方面，公司 2018 年開(kāi)始毛利率大幅上升，主要是公司 2017 年將毛利率相 對(duì)較低的消費(fèi)電子芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓所致，同時(shí)內(nèi)存接口芯片中高價(jià)值量的新子 代產(chǎn)品收入占比提升也帶動(dòng)了毛利率上升，2019-2020 年公司毛利率穩(wěn)中有升，主 要是 DDR4 產(chǎn)品逐漸升級(jí)所致，同時(shí)規(guī)模效應(yīng)也帶來(lái)凈利率的持續(xù)提升。 而進(jìn)入 2021 年后，毛利率和凈利率都有較大幅度下滑，主要原因有兩點(diǎn)：1.內(nèi)存 接口芯片 DDR4 產(chǎn)品進(jìn)入生命周期后期，價(jià)格下滑導(dǎo)致毛利率下滑，2. 公司津 逮服務(wù)器毛利率較低，收入占比提升也拉低了綜合毛利率。

1.3、技術(shù)優(yōu)勢(shì)構(gòu)筑核心壁壘，持續(xù)研發(fā)鞏固核心競(jìng)爭(zhēng)力

從研發(fā)投入來(lái)看，公司 2017 年由于轉(zhuǎn)讓消費(fèi)電子芯片業(yè)務(wù)導(dǎo)致研發(fā)技術(shù)人員數(shù)量 及研發(fā)費(fèi)用率有所降低，但此后一直保持在約 15%的高水平，持續(xù)的高研發(fā)投入 形成了公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和持續(xù)的高研發(fā)投入使得公司形成了領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。公司以技術(shù)創(chuàng)新為基礎(chǔ)，發(fā)明了 DDR4 全緩沖“1+9”架構(gòu)，最終被 JEDCE 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)采納， 成為國(guó)際通用的 DDR4 LRDIMM 的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，凸顯了公司的技術(shù)水平和能力，在 DDR4 階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。公司是全球可提供從 DDR2 到 DDR4 內(nèi)存 全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一，在該領(lǐng)域擁有重要話(huà)語(yǔ)權(quán)，同時(shí) 在 DDR5 產(chǎn)品持續(xù)發(fā)力，為公司在該細(xì)分領(lǐng)域保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及鞏固核心競(jìng)爭(zhēng)力 提供了重要保障。

2、內(nèi)存接口芯片：DDR5 時(shí)代來(lái)臨，推動(dòng)公司產(chǎn)品量?jī)r(jià)齊升

2.1、內(nèi)存接口芯片為服務(wù)器內(nèi)存模組核心邏輯器件，瀾起科技為全球 主要供應(yīng)商之一

內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件，位于 CPU 到 DRAM 內(nèi)存顆粒 的命令地址總線(xiàn)通路和數(shù)據(jù)總線(xiàn)通路上，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度 及穩(wěn)定性，滿(mǎn)足服務(wù)器 CPU 對(duì)內(nèi)存模組日益增長(zhǎng)的高性能及大容量需求。

內(nèi)存接口芯片基本僅用于服務(wù)器，主要是因?yàn)榉?wù)器不同于普通 PC，對(duì)于大容量 存儲(chǔ)和運(yùn)算要求更高，如果不加以緩沖則服務(wù)器 CPU 對(duì)于內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度和 穩(wěn)定性的要求會(huì)得不到滿(mǎn)足，而內(nèi)存接口芯片則能夠有效解決 CPU 的高處理速度 與內(nèi)存存儲(chǔ)速度不匹配的問(wèn)題，因此在服務(wù)器中得到普遍應(yīng)用。

在服務(wù)器的發(fā)展歷史中，DRAM 由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)體積小，在服務(wù)器的內(nèi)存 中占主導(dǎo)地位，并得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，從 DRAM 逐漸演進(jìn)到 SDRAM 再到 DDR SDRAM 系列。

SDRAM（Synchronous DRAM）為同步的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理器，同步指的是 存儲(chǔ)器的工作參考時(shí)鐘，SDRAM 只能在信號(hào)的上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸， 其內(nèi)核工作頻率、時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)傳輸速率三者相同，[敏感詞]速率可達(dá) 200MHz。

DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous DRAM）雙倍速率同步動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，可以在信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以 DDR 內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期都可以完成兩倍于 SDRAM 的數(shù)據(jù)傳輸量。

隨著半導(dǎo)體工藝的演進(jìn)，CPU 的速率越來(lái)越高，內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率的要求也越來(lái) 越高，為了節(jié)省功耗工作電壓越來(lái)越小，為了存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)容量越來(lái)越大，DDR SDRAM 也演變出了 DDR1-DDR5 系列。

服務(wù)器對(duì)應(yīng)的內(nèi)存接口芯片主要包含寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（RCD，Register Clock Driver）和數(shù)據(jù)緩沖器芯片（DB，Data Buffer），分別用于緩沖來(lái)自?xún)?nèi)存控制器的地址/命令/控制信號(hào)和用于緩沖來(lái)自?xún)?nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號(hào)。

伴隨著服務(wù)器內(nèi)存 DDR SDRAM 的演進(jìn)，其配套的內(nèi)存接口芯片為了更好的匹配 CPU 及內(nèi)存的功能，也進(jìn)行了從 DDR1 到 DDR5 的子代演進(jìn)，目前主流產(chǎn)品為 DDR4 內(nèi)存接口芯片，但其已經(jīng)進(jìn)入生命周期中后期，下一代 DDR5 內(nèi)存接口芯 片產(chǎn)品已經(jīng)于 2021 年下半年量產(chǎn)，目前 DDR4 系列的內(nèi)存接口芯片廠商主要廠 商為瀾起科技、IDT 及 Rambus，進(jìn)入到 DDR5 系列后，仍是以這三家為主。

根據(jù)采用內(nèi)存接口芯片的不同，服務(wù)器內(nèi)存模組通常又可分為 RDIMM（Registered DIMM，寄存式雙列直插內(nèi)存模組）和 LRDIMM（Load Reduced DIMM，減載雙 列直插內(nèi)存模組），前者僅采用 RCD 芯片對(duì)地址/命令/控制信號(hào)進(jìn)行緩沖，后者 則采用 RCD 和 DB 套片實(shí)現(xiàn)地址/命令/控制信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào)的全緩沖。DDR4 中 LRDIMM 為“1+9”方案，即采用 1 顆 RCD 和 9 顆 DB 芯片，價(jià)值量更高，但其 僅用在高端服務(wù)器中，目前占比僅為中個(gè)位數(shù)。

內(nèi)存接口芯片近年市場(chǎng)規(guī)模整體持續(xù)增長(zhǎng)，2018 年約 5.7 億美元，近幾年雖沒(méi)有 公開(kāi)數(shù)據(jù)，但我們認(rèn)為隨著服務(wù)器需求提升，整體市場(chǎng)應(yīng)該有一定提升，格局上 則主要是瀾起科技、IDT（2019 年 3 月被瑞薩電子收購(gòu)）和 Rambus 三家廠商， 以財(cái)報(bào)推算 2018 年 Rambus 份額約 6%，而瀾起科技和 IDT 則份額相當(dāng)。

2018 年 9 月瑞薩電子宣布擬收購(gòu) IDT，瑞薩電子本身主要供應(yīng) MCU、SoC 和電 源管理 IC 等產(chǎn)品，在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域地位較高，收購(gòu) IDT 可拓展其產(chǎn)品線(xiàn)，鞏固在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，并憑借內(nèi)存接口芯片等產(chǎn)品開(kāi)拓?cái)?shù)據(jù)中心等市場(chǎng)。 內(nèi)存接口芯片占 IDT 收入比例接近 30%，占瑞薩收入約 5%不到，相比 IDT 的傳感器、高性能定時(shí)、光互聯(lián)等產(chǎn)品，內(nèi)存接口芯片對(duì)瑞薩在汽車(chē)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域協(xié)同 作用有限，我們判斷其投入權(quán)重可能相對(duì)有所下降。此外，2019 年 9 月 IDT 負(fù)責(zé) 內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)的副總裁 Sean Fan 離職后加入Rambus，一定程度上影響了兩家公司的內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)。

IDT 在被收購(gòu)及高管離職等影響下，競(jìng)爭(zhēng)力有一定減弱。相比之下 Rambus 業(yè)務(wù)則得到了快速發(fā)展，內(nèi)存接口芯片收入由 2018 年的 3640 萬(wàn)美元提升至 2021 年的 約 1.44 億美元，估測(cè)份額也有所提升，主要搶占的是 IDT 的市場(chǎng)份額。

2.2、DDR5 時(shí)代來(lái)臨，帶動(dòng)內(nèi)存接口芯片量?jī)r(jià)齊升

內(nèi)存接口芯片基本僅用于服務(wù)器，廠商業(yè)績(jī)一定程度上受下游服務(wù)器采購(gòu)周期影 響。內(nèi)存接口芯片直接銷(xiāo)售給下游三星、海力士等內(nèi)存模組廠商，然后浪潮等服 務(wù)器 ODM/OEM 廠商采購(gòu)來(lái)內(nèi)存模組和 CPU 等進(jìn)行整機(jī)組裝，進(jìn)而再銷(xiāo)售給谷 歌、微軟等云服務(wù)廠商。

考慮到從內(nèi)存接口芯片到內(nèi)存模組再到服務(wù)器整機(jī)的產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，瀾起科技的季度出貨變化要略領(lǐng)先于服務(wù)器出貨量 0-1 個(gè)季度，因此短期來(lái)看下游服務(wù)器景出 貨變化對(duì)于公司內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域出貨有一定影響。服務(wù)器市場(chǎng)在經(jīng)歷了 2020 年 Q3 到 2021 年 Q2 的低迷后，2021 年 Q3 后開(kāi)始需求復(fù)蘇，同比恢復(fù)正增長(zhǎng)， 同時(shí)會(huì)拉動(dòng)對(duì)于上游內(nèi)存模組以及內(nèi)存接口芯片的需求，我們從瀾起科技的內(nèi)存 接口芯片季度收入趨勢(shì)可以看到，2021 年 Q3 開(kāi)始增速逐漸轉(zhuǎn)正，和服務(wù)器的季 度出貨趨勢(shì)有較強(qiáng)的相關(guān)性。

除了內(nèi)存接口芯片廠商瀾起科技外，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)信驊科技的收入也驗(yàn)證了這一 點(diǎn)，信驊科技主營(yíng)服務(wù)器遠(yuǎn)端控制芯片，產(chǎn)品直接銷(xiāo)售給服務(wù)器代工廠，其收入 趨勢(shì)與服務(wù)器出貨量具有一定的同步性。信驊科技從 2021 年 Q3 開(kāi)始月度收入增 速明顯提升，也較大程度的反應(yīng)了下游服務(wù)器需求的提升，而進(jìn)入 2022 年之后， 信驊科技一月的收入同比繼續(xù)維持 60%增長(zhǎng)，進(jìn)一步驗(yàn)證下游服務(wù)器的景氣度。

全年來(lái)看，Intel 新一代服務(wù)器 CPU 的推出有望刺激服務(wù)器換機(jī)需求。CPU 作為 服務(wù)器進(jìn)行運(yùn)算處理的核心“大腦”，是影響服務(wù)器性能的最重要硬件之一。從格 局來(lái)看，目前服務(wù)器 CPU 主要有 Intel 的至強(qiáng)（EXON）系列處理器和 AMD 的霄 龍（EPYC）系列處理器，其中 Intel 占據(jù)了服務(wù)器 CPU 絕大部分市場(chǎng)份額，2021Q4 約在 80%左右，AMD 份額快速提升至 15%左右。

Intel 在 2021 年報(bào)披露，其新一代服務(wù)器處理器 Sapphire Rapids 有望于 2022 年 Q3 出貨，采用 10nm+制程（intel 7）的服務(wù)器 CPU，而 AMD 新一款采用 5nm 制 程的 GENOA 處理器也即將出貨，新一代處理器的推出預(yù)計(jì)會(huì)共同刺激企業(yè)服務(wù) 器的換機(jī)需求，此外疫情下云端需求仍將持續(xù)，因此 IHS Markit 預(yù)估 2022 年服務(wù) 器整機(jī)出貨將同比增長(zhǎng)超過(guò) 10%。

Intel 即將推出的第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器 Sapphire Rapds，采用 intel [敏感詞]的 intel 7（10nm+ SuperFin）技術(shù)，數(shù)據(jù)插槽接口標(biāo)準(zhǔn) PCIe 也升級(jí)為 Gen 5.0，同時(shí)內(nèi)存 規(guī)范升級(jí)到 DDR5，支持單通道傳輸速率提升至 16GT/s，而內(nèi)存方面將內(nèi)存規(guī)范 升級(jí)到 DDR5，同時(shí)支持 8 通道 DDR5，由于每通道支持兩個(gè)內(nèi)存模組，這意味 著每顆 CPU 支持內(nèi)存模組 16 根。

DDR4 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)于 2012 年發(fā)布，2014 年主要廠商內(nèi)存面世，迄今已六年有余， 其[敏感詞] 3200MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度等標(biāo)準(zhǔn)都很大程度上制約了內(nèi)存廠商產(chǎn)品的發(fā) 展，而 DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)在 2020 年中正式推出，很大程度上將打破這些限制，解 決廠商的“燃眉之急”。

與 DDR4 標(biāo)準(zhǔn)相比，DDR5 標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：1）更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，其 起步 4.8Gbps 的帶寬相比 DDR4 的[敏感詞]帶寬提升了 50%，而[敏感詞] 6.4Gbps 的帶寬 則整整提升了一倍；2）更低的功耗，工作電壓較 DDR4 的 1.2V 進(jìn)一步降低至 1.1V； 3）DDR5 支持更高容量 DRAM，允許單顆 die 達(dá)到[敏感詞] 64Gbit 的密度，是 DDR4 的四倍，結(jié)合 die 堆疊則單個(gè)模組容量最終可達(dá)到 2TB；此外 DDR5 在電源管理 架構(gòu)、通道架構(gòu)等多方面也都有改進(jìn)，可實(shí)現(xiàn)更好的電源效率、數(shù)據(jù)訪問(wèn)效率和 穩(wěn)定性。

Intel 下一代采用 DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器處理器預(yù)計(jì)會(huì)直接支持 8 通道 DDR5，意味著之后的產(chǎn)品都將從此前的單個(gè) CPU 支持 12 個(gè)內(nèi)存模組提升到 16 個(gè)內(nèi)存 模組，若未來(lái)幾年全部更換則意味著總計(jì)高達(dá) 1/3 的增量，同時(shí)結(jié)合服務(wù)器需求 量自身的持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)服務(wù)器內(nèi)存模組用量增長(zhǎng)會(huì)比服務(wù)器市場(chǎng)增長(zhǎng)要快得多， 進(jìn)而帶動(dòng)內(nèi)存接口芯片需求。

DDR 標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)換代意味著配套的內(nèi)存接口芯片的升級(jí)，將帶動(dòng)產(chǎn)品 ASP 大幅 提升。參考 DDR4 世代的產(chǎn)品價(jià)格，每個(gè)子代的價(jià)格都較前個(gè)子代有所提升，Gen 2 plus 較 Gen 2 的價(jià)格提升甚至可達(dá) 80%以上，而 DDR5 大世代的升級(jí)同樣意味 著對(duì)應(yīng)內(nèi)存接口芯片的價(jià)格會(huì)有大幅提升，產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研來(lái)看，DDR5 [敏感詞]子代的 內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品價(jià)格是 DDR4 最后一個(gè)子代產(chǎn)品的數(shù)倍之多，意味著伴隨著 DDR5 的產(chǎn)品滲透率不斷提升，內(nèi)存接口芯片的市場(chǎng)將大幅提升。

從內(nèi)存模組的角度來(lái)看，LRDIMM 相比 RDIMM 的主要優(yōu)勢(shì)之一在于其緩沖了內(nèi) 存控制器的所有信號(hào)因此降低了內(nèi)存控制器負(fù)載，進(jìn)而能大幅提升內(nèi)存支持容量， 當(dāng)內(nèi)存顆粒密度、3D 堆疊等其他增大容量的方式也無(wú)法有效解決容量問(wèn)題時(shí)則會(huì) 采用 LRDIMM。DDR4 時(shí)代 LRDIMM 為“1+9”架構(gòu)，且其滲透率只有約 5%左 右。而 DDR5 LRDIMM 將會(huì)變?yōu)椤?+10”架構(gòu)，增添一顆 DB 芯片用量，而往更 長(zhǎng)時(shí)間維度來(lái)看，到 DDR5 中后期階段容量越來(lái)越大時(shí)，其滲透率可能會(huì)有所提 升，進(jìn)一步貢獻(xiàn)市場(chǎng)增量。

預(yù)計(jì) DDR5 將在未來(lái)兩年快速滲透。歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，從新的 DDR 規(guī)范開(kāi)始問(wèn)世， 滲透率有個(gè)逐漸爬坡的過(guò)程，一般來(lái)講，[敏感詞]年滲透率達(dá)到 20%-30%，第二年達(dá) 到 50%-60%，第三年有望達(dá)到 80-90%。國(guó)際內(nèi)存模組廠商美光也在近期投資者 交流中提到預(yù)計(jì) 2022 年 DDR5 滲透率提升至 20%，內(nèi)存接口芯片廠商 Rambus 預(yù)計(jì) 2023 年 DDR5 滲透率有機(jī)會(huì)過(guò)半，和之前 DDR 歷代產(chǎn)品滲透演進(jìn)趨勢(shì)類(lèi)似。

中長(zhǎng)期來(lái)看，我們已經(jīng)進(jìn)入了數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，未來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和計(jì)算的需求 增長(zhǎng)是持續(xù)且不可逆的，對(duì)服務(wù)器的需求量也將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)，根據(jù) IHS Markit 預(yù) 測(cè)，未來(lái)四年全球服務(wù)器對(duì)于 DRAM 的容量需求年復(fù)合增速均超過(guò) 29%。服務(wù)器 對(duì)于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的需求增長(zhǎng)，一方面體現(xiàn)在服務(wù)器出貨量的增長(zhǎng)，據(jù) IHS Markit 預(yù) 測(cè)，未來(lái)四年服務(wù)器出貨量將維持 10%以上的 CAGR 增長(zhǎng)，另一方面體現(xiàn)在單個(gè) 服務(wù)器存儲(chǔ)容量的持續(xù)提升，未來(lái)四年也將保持 15%以上的 CAGR 增長(zhǎng)。

從北美四家云巨頭（谷歌、微軟、亞馬遜、Facebook）的資本開(kāi)支情況來(lái)看，近 幾年來(lái)持續(xù)較快增長(zhǎng)，2021 年同比增長(zhǎng) 30%以上，F(xiàn)acebook 預(yù)計(jì) 2022 年的資本 開(kāi)支預(yù)計(jì)在 290-340 億美金，同比增加超過(guò) 50%，同時(shí)谷歌、亞馬遜也對(duì)于 2022 年的資本開(kāi)支較為積極和樂(lè)觀。 我們認(rèn)為在服務(wù)器市場(chǎng)整體趨勢(shì)向上的情況下，預(yù)計(jì)內(nèi)存模組及內(nèi)存接口芯片的 需求量也會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。

2.3、龍頭深度受益行業(yè)增長(zhǎng)紅利，配套芯片更添業(yè)績(jī)?cè)隽?/span>

服務(wù)器內(nèi)存接口芯片存在著較高的認(rèn)證壁壘，產(chǎn)品需要與內(nèi)存廠商生產(chǎn)的各種內(nèi) 存顆粒和內(nèi)存模組進(jìn)行配套，并通過(guò)服務(wù)器 CPU、內(nèi)存和 OEM 廠商針對(duì)其功能 和性能的全方位嚴(yán)格認(rèn)證，才能進(jìn)入大規(guī)模商用階段。由于服務(wù)器生態(tài)系統(tǒng)的高 準(zhǔn)入門(mén)檻，我們預(yù)計(jì) DDR5 內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)主要玩家仍為瀾起科技、IDT 及 Rambus 三家。

瀾起科技在 DDR4 階段已逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，占據(jù)近一半份額，同時(shí)公司 董事長(zhǎng)楊崇和博士是“1 + 9”分布式緩沖架構(gòu)的發(fā)明者之一，基于該架構(gòu)，JEDEC 制定了高密度 DDR4 內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)，并且它也是即將推出的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) DDR5 內(nèi)存模組的基礎(chǔ)，凸顯出公司極強(qiáng)的技術(shù)水平和能力。

隨著 DDR5 時(shí)代的道路，如前所述，內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品形態(tài)依然為 RCD 和 DB 芯片，而公司目前已完成符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的[敏感詞]子代 DDR5 RCD 及 DB 量產(chǎn)版 本芯片的研發(fā)并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，公司在 DDR4 階段確立的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)有望在 DDR5 階段得到復(fù)制和延續(xù)，深度受益于行業(yè)增長(zhǎng)紅利。

配套芯片成為 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品的標(biāo)配，價(jià)值量較大。DDR5 內(nèi)存模組將會(huì)有 較多配套芯片成為標(biāo)配，公司在 DDR5 積極布局內(nèi)存模組配套芯片，進(jìn)一步貢獻(xiàn) 業(yè)績(jī)?cè)隽俊９局饕季值呐涮仔酒娫垂芾硇酒≒MIC，Power ManagementIC）、串行檢測(cè)芯片（SPD，Serial Presence Detect）和溫度傳感器（TS，Temperature Sensor）。 如前所述，DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)在電源管理架構(gòu)方面有所調(diào)整，主要體現(xiàn)為將電源管 理芯片（PMIC）從主板轉(zhuǎn)到內(nèi)存模組上，公司和 IDT 等廠商將會(huì)涉足該 PMIC 的供應(yīng)；同時(shí)，在 DDR4 中僅應(yīng)用于部分產(chǎn)品的 SPD 芯片在 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模 組中也將會(huì)成為標(biāo)配，公司和 IDT 等或?yàn)橹饕獏⑴c者；而溫度傳感器則用來(lái)實(shí)時(shí) 監(jiān)測(cè) DDR5 內(nèi)存模組溫度，也成為增量。

瀾起科技在 DDR5 內(nèi)存模組配套芯片同樣已完成芯片的量產(chǎn)，基于在服務(wù)器內(nèi)存 接口芯片的良好客戶(hù)基礎(chǔ)和認(rèn)可度，公司在供應(yīng)內(nèi)存模組配套芯片時(shí)可以與已有 產(chǎn)品為客戶(hù)提供更好的產(chǎn)品匹配度，我們預(yù)計(jì) DDR5 時(shí)代公司在服務(wù)器內(nèi)存模組 配套芯片也將占據(jù)較大比例，貢獻(xiàn)較大業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/span>

3、圍繞云計(jì)算和 AI 領(lǐng)域拓展產(chǎn)品線(xiàn)，打開(kāi)長(zhǎng)期成長(zhǎng)天花板

3.1、津逮服務(wù)器平臺(tái)

公司津逮服務(wù)器平臺(tái)包括津逮服務(wù)器 CPU 和混合安全內(nèi)存模組。津逮 CPU 為 公司推出的一系列具有預(yù)檢測(cè)（PrC）和動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控（DSC）功能的 x86 架構(gòu)處 理器，系與清華大學(xué)、Intel 三方聯(lián)合開(kāi)發(fā)，其通用 CPU 內(nèi)核芯片由 Intel 提供（成 本占比在 90%以上），可重構(gòu)計(jì)算處理器（RCP）的算法由清華大學(xué)提供，而公司 則完成整體模塊及其他部分芯片設(shè)計(jì)，并委托第三方進(jìn)行制造和封測(cè)，產(chǎn)品所有 權(quán)及品牌歸屬為瀾起科技。

公司于 2020 年 8 月正式發(fā)布第二代津逮 CPU，在[敏感詞]內(nèi)核數(shù)、線(xiàn)程數(shù)、主頻和 緩存等方面都有較大提升，同時(shí)新一代產(chǎn)品面向數(shù)據(jù)中心的未來(lái)發(fā)展，集成深度學(xué)習(xí)加速技術(shù)，強(qiáng)化了 CPU 的 AI 訓(xùn)練和推理能力。

從服務(wù)器市場(chǎng)格局來(lái)看，浪潮、聯(lián)想、華為等國(guó)內(nèi)廠商都已位列全球服務(wù)器廠商 前列，但服務(wù)器 CPU 市場(chǎng)目前仍由 Intel 和 AMD 主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)服務(wù)器廠商具有國(guó) 產(chǎn)化需求。從 CPU 架構(gòu)來(lái)看，目前 x86 架構(gòu)占據(jù)[敏感詞]領(lǐng)先地位，ARM 架構(gòu)雖然 由于功耗低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)處理器舉足輕重，并在 PC 處理器也占據(jù)一定份額，但 服務(wù)器領(lǐng)域?qū)π阅艿母咭鬀Q定了 x86 架構(gòu)短期仍很難被 ARM 架構(gòu)及其他無(wú)法 滿(mǎn)足性能要求的架構(gòu)所快速替代。

目前國(guó)產(chǎn) CPU 廠商形成一定地位和知名度的廠商主要有華為鯤鵬、飛騰、龍芯、 兆芯、申威、海光等廠商，其中鯤鵬、飛騰、龍芯等都采用 ARM、MIPS 等 RISC 架構(gòu)，而采用 x86 架構(gòu)的有海光和兆芯等，相比巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)國(guó)產(chǎn) CPU 廠 商份額提升的空間還很大。（報(bào)告來(lái)源：未來(lái)智庫(kù)）

混合安全內(nèi)存模組采用了瀾起科技具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 Mont-ICMT內(nèi)存監(jiān)控技術(shù)，可為高端服務(wù)器平臺(tái)提供更為安全、可靠的內(nèi)存解決方案。其生產(chǎn)是公司采 購(gòu) DRAM 內(nèi)存顆粒后，結(jié)合自身定制開(kāi)發(fā)的內(nèi)存接口芯片，交由代工廠代工。產(chǎn) 品主要功能是數(shù)據(jù)保護(hù)和動(dòng)態(tài)管控，有別于客戶(hù)提供的標(biāo)準(zhǔn)化內(nèi)存產(chǎn)品，因此不 存在直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，目前和 CPU 一樣在積極導(dǎo)入國(guó)內(nèi)服務(wù)器廠商中。

硬件層面的津逮 CPU 和混合安全內(nèi)存模組，結(jié)合固件層面和軟件層面共同構(gòu)成 津逮服務(wù)器平臺(tái)架構(gòu)。平臺(tái)結(jié)合公司的內(nèi)存監(jiān)控技術(shù)、清華大學(xué)的動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控 與可重構(gòu)計(jì)算架構(gòu)、Intel 的 CPU 技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品市場(chǎng)提供安全、可靠的運(yùn) 算平臺(tái)，在提供安全性的同時(shí)保障了性能優(yōu)勢(shì)，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

2021 年，公司津逮服務(wù)器平臺(tái)全年收入 8.45 億，相較于 2020 年 0.3 億收入，取 得了爆發(fā)式增長(zhǎng)，主要得益于公司前期的持續(xù)市場(chǎng)推廣和客戶(hù)培育，津逮服務(wù)器 在客戶(hù)端取得了實(shí)質(zhì)性的突破。 公司此前曾公告，公司與英特爾 2021 年預(yù)計(jì)關(guān)聯(lián)交易金額將達(dá)到 15.84 億元，同 時(shí)預(yù)計(jì) 2022 年的關(guān)聯(lián)交易金額不超過(guò) 25 億，上限金額繼續(xù)大幅增加，一定程度 表征公司津逮服務(wù)器業(yè)務(wù)正處于高速增長(zhǎng)的軌道中。

3.2、PCIe Retimer 芯片

Intel 推出的 Sapphire Rapids 處理器除支持 12 通道 DDR5 外，在 PCIe 標(biāo)準(zhǔn)方面也 將首次升級(jí)到 Gen 5，數(shù)據(jù)傳輸速率從 16GT/s 提升到 32GT/s。數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍 的同時(shí)會(huì)帶來(lái)突出的信號(hào)衰減和參考時(shí)鐘時(shí)序重整問(wèn)題，為了補(bǔ)償高速信號(hào)的損 耗、提升信號(hào)的質(zhì)量，通常會(huì)在鏈路中加入超高速時(shí)序整合芯片（Retimer）。

高速傳輸?shù)男盘?hào)完整性通常可使用 Redriver 和 Retimer 兩種方案，前者主要是通 過(guò)增強(qiáng)信號(hào)的高頻部分來(lái)抵消互連模塊引起的衰減，而后者則是把信號(hào)進(jìn)行重構(gòu) 后再發(fā)送出去。Retimer 被寫(xiě)入 PCIe 規(guī)范，在抖動(dòng)減少、均衡能力、鏈路診斷等 多方面都明顯優(yōu)于 Redriver，但由于后者在功耗、成本方面具有優(yōu)勢(shì)在此前 Gen 3 時(shí)有較多的應(yīng)用，而隨著標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)入 Gen 4 以及 Gen 5，更多的通道數(shù)以及更多互連樣式等趨勢(shì)對(duì)信號(hào)完整性帶來(lái)的挑戰(zhàn)決定了 Retimer 將成為主要方案。

此前由于 Intel 支持 PCIe 5.0 的 CPU 并未推出，因此針對(duì) PCIe 5.0 的 Retimer 產(chǎn)品 也大多并未形成大規(guī)模銷(xiāo)售，隨著 Sapphire Rapids 將在 2022 年下半年推出，未來(lái) PCIe 5.0 retimer 市場(chǎng)空間有望達(dá)到數(shù)億美金。 從市場(chǎng)參與者來(lái)看，譜瑞科技、Astera Labs、TI、ADI、Microchip 等廠商都有相 應(yīng)產(chǎn)品布局，而瀾起科技也已于 2020 年 9 月成功量產(chǎn) PCIe 4.0 Retimer 芯片，產(chǎn) 品功耗和傳輸延時(shí)等關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并已與 CPU、網(wǎng)卡、固態(tài) 硬盤(pán)、GPU 和 PCIe 交換芯片等進(jìn)行了廣泛的互操作測(cè)試，同時(shí)公司 PCIe 5.0 Retimer 芯片也在推進(jìn)中，未來(lái) PCIe Retimer 芯片有望成為公司新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。

3.3、人工智能芯片

人工智能是未來(lái)的重要技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)之一，大數(shù)據(jù)的形成、計(jì)算能力的提升及網(wǎng) 絡(luò)設(shè)施的演進(jìn)驅(qū)動(dòng)其發(fā)展進(jìn)入了新階段，而人工智能芯片作為行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)， 具有廣闊的市場(chǎng)空間。人工智能芯片市場(chǎng)規(guī)模在 2019 年為約 110 億美元，未來(lái)有 望保持快速增長(zhǎng)。

瀾起科技將人工智能領(lǐng)域作為未來(lái)戰(zhàn)略發(fā)展方向之一，擬憑借公司在高速、低功 耗、內(nèi)存子系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)和人才基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)用于云端數(shù)據(jù)中心的 AI 處理器芯片和 SoC 芯片，目前正進(jìn)行相關(guān)芯片的研發(fā)工作，有望打開(kāi)公司新的成 長(zhǎng)空間。

4、盈利預(yù)測(cè)

核心假設(shè)

內(nèi)存接口芯片及配套芯片：DDR4 產(chǎn)品進(jìn)入生命周期后期，Intel 新一代 CPU 將支 持 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)，將帶動(dòng)內(nèi)存接口芯片量?jī)r(jià)齊升下，公司身為行業(yè)技術(shù)和份額領(lǐng)先 的龍頭廠商，將充分享受增長(zhǎng)紅利，且由于公司的卡位優(yōu)勢(shì)，配套芯片也將占比 較大份額，預(yù)計(jì) 2022、2023 年內(nèi)存接口芯片及配套芯片的收入分別為 28.8 億、 43.1 億；

津逮服務(wù)器平臺(tái)：經(jīng)過(guò)前期的市場(chǎng)推廣和客戶(hù)培育，津逮 CPU 業(yè)務(wù)取得了突破 性進(jìn)展，在 2021 年實(shí)現(xiàn)快速成長(zhǎng)后，我們預(yù)計(jì) 2022、2023 年收入分別為 14.0、 20.0 億元；

其他產(chǎn)品：公司 PCIe 5.0 Retimer 芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)一步打開(kāi)公司成長(zhǎng)空間。預(yù) 計(jì)其他產(chǎn)品 2022、2023 年收入分別為 0.5、1.0 億元。

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