雖然電動車銷量成長，帶動功率半導(dǎo)體需求，但中國多家碳化硅（SiC）廠商如露笑科技、天岳先進(jìn)等紛紛預(yù)告2022年業(yè)績將呈虧損。

據(jù)天岳先進(jìn)公告，預(yù)計2022年凈虧損人民幣1.55億~1.85億元，年增由盈轉(zhuǎn)虧。天岳先進(jìn)解釋，“在主要產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整過程中，因產(chǎn)線、設(shè)備調(diào)整等導(dǎo)致臨時性產(chǎn)能下滑，進(jìn)而影響營業(yè)營收和綜合毛利率等下降。”

資料顯示，天岳先進(jìn)專注于SiC基板的研發(fā)、制造和銷售，而且半絕緣型和導(dǎo)電性均有布局，主攻半絕緣型SiC基板。由于電動車、太陽光電系統(tǒng)和儲能等產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展，導(dǎo)電型襯底需求不斷。

據(jù)Yole預(yù)測，截至2025年，全球SiC零組件市場規(guī)模將達(dá)到25.62億美元，2019~2025年CAGR為30%。其中，電動車、太陽光電系統(tǒng)和儲能是SiC零部件主要的應(yīng)用市場，2025年市場規(guī)模分別為15.53億美元和3.14億美元。為此，天岳先進(jìn)特別投資的SiC半導(dǎo)體材料項目，即包含導(dǎo)電型基板。

不過，由于2022年上半年上海疫情，原定于2022年試生產(chǎn)的計劃被迫推遲。為了交付6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品，天岳先進(jìn)將濟(jì)南工廠的部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)電型。該調(diào)整不僅代表導(dǎo)電型基板供應(yīng)節(jié)奏可能延遲，還將影響半絕緣型襯底的生產(chǎn)和銷售情況。而產(chǎn)品被動調(diào)整的沖擊，也直觀反映在2022年的業(yè)績上。同時，天岳先進(jìn)還表示，由于2022年公司投入研發(fā)大尺寸和N型產(chǎn)品，研發(fā)費(fèi)用增加，成本上漲。

無獨有偶，當(dāng)?shù)亓硪患掖髲S露笑科技也表示，因SiC產(chǎn)業(yè)前期研發(fā)及資產(chǎn)投入成本高，預(yù)計2022年凈利潤虧損人民幣2.30億~2.95億元，年增由盈轉(zhuǎn)虧。但除此之外，該公司表示主營業(yè)務(wù)一切正常，SiC產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步推進(jìn)中。另外，得潤電子也預(yù)計2022年凈利潤虧損人民幣1.8億~2.5億元，較2021年虧損減少。

 碳化硅商業(yè)化進(jìn)程加速

自2021年Tesla宣布，Model 3搭載意法半導(dǎo)體（STM）的SiC功率零組件后，SiC便搭上了新能源的快車道。目前，SiC作為第三類半導(dǎo)體材料，已在電動車、工業(yè)與新能源等領(lǐng)域加速滲透應(yīng)用，SiC功率零組件更是成為半導(dǎo)體與新能源賽道的交匯點。

英飛凌（Infineon）也宣布，擴(kuò)大與SiC供應(yīng)商合作，且與Resonac（前身為昭和電工）簽署一份新采購合作清單。

同時，中國對于SiC擴(kuò)產(chǎn)動作也未停歇。2022年7月，士蘭微正式啟動“SiC功率零組件生產(chǎn)線建設(shè)項目”，項目計劃投資人民幣15億元; 11月8日，三安光電旗下全資子公司簽署一項SiC芯片《戰(zhàn)略采購意向協(xié)議》，金額達(dá)人民幣38億元; 時代電氣也透露，投資人民幣4.6億對原有SiC產(chǎn)線進(jìn)行產(chǎn)能提升。

東尼電子也在1月初發(fā)布了關(guān)于簽訂重大合約公告，2023年將向客戶交付13.5萬片6英寸SiC基板，含稅銷售金額合計人民幣6.75億元，已超過2021全年營收13.39億元的一半，2024年和2025年還將分別交付30萬片和50萬片。

一邊是市場火熱，眾廠擴(kuò)產(chǎn); 一邊卻又是企業(yè)業(yè)績持續(xù)虧損，一熱一冷間，業(yè)界對于SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展話題熱議不已。實際上，盈利難、自身造血能力弱一直是擺在SiC產(chǎn)業(yè)面前的難題。

以產(chǎn)業(yè)龍頭科銳為例，該公司于1993年在美國上市，是SiC領(lǐng)域?qū)嵵撩麣w的領(lǐng)頭者，但在產(chǎn)品供不應(yīng)求的同時，業(yè)績虧損卻十分嚴(yán)重，2018~2020年間共計虧損8.46億美元。

天岳先進(jìn)也表示，由于SiC材料的持續(xù)研發(fā)需要大量投入，未來一段時間可能持續(xù)虧損。

目前國際主流SiC襯底尺寸為4英寸和6英寸，晶圓面積較小、芯片裁切效率較低、單晶襯底及外延良率較低導(dǎo)致SiC器件成本高昂，疊加后續(xù)晶圓制造、封裝良率較低，且載流能力和柵氧穩(wěn)定性仍待提高，SiC器件整體成本仍處于較高水平。未來隨著全球半導(dǎo)體廠商加速研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)線良率將逐步提高，從而提高晶圓利用率，有效降低SiC器件成本。

中國的SiC器件供應(yīng)商，既面臨新材料對硅的取代，又面臨國產(chǎn)器件對國外器件的取代，在整個過程中一定會面臨許多問題。SiC行業(yè)還有很長的路要走，以推動技術(shù)創(chuàng)新，同時削減成本和提高產(chǎn)量，這需要很多的耐心。

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