MOSFET的單位面積導通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產品參數(shù)展示的關鍵指標，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。 通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優(yōu)值系數(shù)，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。 單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態(tài)下，

1、第三代半導體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產業(yè)：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下……

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。瀾起科技是國際領先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設計公司。 行業(yè)地位：瀾起科技的內存接口芯片作為連接CPU和內存的“高速公路”,是服務器內存模組的必配芯片，已成功進入國際主流內存、服務器和云計算領域,產品性能和質量受到市場及行業(yè)……

CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置，主要可分為前照式結構(FSI)背照式結構(BSI)。 在背照式結構的基礎上，還可以進一步改良成堆棧式結構(Stacked)。堆棧式結構系在背照式結構將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎上進行進一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質的感光效果。 采用堆棧式結構的CMOS圖像傳感器可在同

1. 背景知識 在我們進入超結MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，……

固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件，負責與整機CPU進行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理，廣泛應用于消費電子、服務器、工業(yè)控制等領域。 固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現(xiàn)對固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……

1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質上屬于電磁波，根據(jù)波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術是通過光學……

退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火（annealing）是一種熱處理工藝……

硅晶棒切割技術涉及多個方面的技術難點，需要綜合考慮機械、材料、熱力學、流體力學等多學科的知識，才能實現(xiàn)高效、高質量的硅片切割。 硅晶棒切割是半導體制造過程中至關重要的一步，其技術難點主要集中在以下幾個方面： 1. 切割精度 切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……

光刻機按光源類型可分為五類：I-line光刻機、KrF光刻機、ArF光刻機、ArFi光刻機（即ArF浸沒式光刻機，與ArF光刻機相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機。按照應用領域可分為IC前道光刻機和IC后道光刻機。其中，IC前道光刻機主要應用于芯片制造，而后道光刻機主要用于芯片封裝。 ……

《黑神話：悟空》是一款國產的單機動作類角色扮演游戲，以西游記為題材。 玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數(shù)解釋如下： 最低配置說明：最低配置是指運行某個軟件或游戲時，設備所需的最低硬件和軟件規(guī)格。這意味著，您的電腦至少需要達到這些配置要求，才能正常運行該軟件或者游戲。 1、操作系統(tǒng)……

FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結構，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對于實現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節(jié)點的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節(jié)點的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節(jié)點），我們遇到了以下技術挑戰(zhàn)： 短溝道效應：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減