硅基氮化鎵 E型MOSc-HEMT的演示。TEM橫截面顯示了角落處全凹槽MOS柵極的輪廓。柵長(zhǎng)設(shè)置為1um。 IEDM 2020上的研究論文展示了該研究所如何克服嵌入MOS柵極的GaN器件在結(jié)構(gòu)和性能方面的挑戰(zhàn)。 ……

新年伊始，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在從工業(yè)到學(xué)術(shù)界的許多頭條新聞中。 在過(guò)去的幾年中，寬帶隙半導(dǎo)體的興起已得到充分證明。諸如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）之類的新型半導(dǎo)體材料可提供更高的速度，效率和工作條件，并已被證明在高壓應(yīng)用中非常有用。這些應(yīng)用包括電力電子，電動(dòng)汽車等。 Si……

從SiC在生產(chǎn)制造上的困難和挑戰(zhàn)看SiC的成本問(wèn)題 非常慢的生長(zhǎng)速度以及主流尺寸只有4-6英寸，決定了碳化硅的襯底價(jià)格遠(yuǎn)高于硅襯底。 相比于……

半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)和增長(zhǎng)來(lái)自新興應(yīng)用市場(chǎng)，正值全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移,未來(lái)十年投資規(guī)模將超過(guò)1700億美金，中國(guó)大陸將成為半導(dǎo)體材料和設(shè)備的最大市場(chǎng)。 由中新材會(huì)展主辦的第四屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體＆5G新興應(yīng)用展覽會(huì)（SemiExpo），將于7月28—30日在深圳會(huì)展中心舉行。展出面積5萬(wàn)平方米，將匯聚800余家展商……

今年下半年以來(lái)晶圓代工產(chǎn)能奇缺，代工費(fèi)用也是持續(xù)上漲，并且已向下傳導(dǎo)到了封測(cè)端，使得封測(cè)產(chǎn)能也被擠爆，封測(cè)價(jià)格也是出現(xiàn)了一波上漲，而下游的很多芯片也都出現(xiàn)了缺貨及價(jià)格上漲的情況。有分析稱，晶圓代工產(chǎn)能緊缺問(wèn)題將持續(xù)至明年年中。而昨日臺(tái)灣晶圓代工大廠力積電董事長(zhǎng)黃崇仁在接受采訪時(shí)則表示，全球晶圓代工產(chǎn)能不足將持續(xù)到202……

11月15日，第四次區(qū)域全面經(jīng)濟(jì)伙伴關(guān)系協(xié)定領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議以視頻方式舉行，經(jīng)過(guò)8年談判，東盟十國(guó)以及中國(guó)、日本、韓國(guó)、澳大利亞、新西蘭15個(gè)國(guó)家，正式簽署區(qū)域全面經(jīng)濟(jì)伙伴關(guān)系協(xié)定（RCEP，Regional Comprehensive Economic Partnership）。 據(jù)介紹，RCEP拓展了原有“……

11月5日，由APENCORE主辦的“2020全球CEO峰會(huì)”在深圳召開(kāi)。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍教授做了主題為《人間正道是滄桑-關(guān)于大變局下的戰(zhàn)略定力》的主題演講。 “最近大家一定注意到中國(guó)半導(dǎo)體很火熱，而且火熱得有點(diǎn)過(guò)頭，有點(diǎn)不像話。”這是魏少軍教授在演講前說(shuō)到。……

11月5日，由APENCORE主辦的“2020全球CEO峰會(huì)”在深圳召開(kāi)。ADI總裁兼首席執(zhí)行官 Vincent Roche和ADI中國(guó)區(qū)總裁Jerry Fan了主題為“重思、重構(gòu)、重升”的主題演講，介紹了在疫情重建時(shí)期，ADI對(duì)整個(gè)市場(chǎng)、整個(gè)行業(yè)一些重思、重構(gòu)、重升的想法。 △ADI總裁兼首席執(zhí)……