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電子百科
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薩科微電子百科,分享與科普半導體電子產(chǎn)品知識,為新老客戶及各電子工程師答疑解惑。
MOS管的存放條件
  • 更新日期: 2022-12-21
  • 瀏覽次數(shù): 3459
當將MOS管采購回來后我們該如何進行存放才能保障產(chǎn)品不被氧化,其使用時才不受影響?
關于可控硅基本概念分享
  • 更新日期: 2022-12-20
  • 瀏覽次數(shù): 1851
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR。它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。
MOS管基礎知識
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數(shù): 9083
MOS管(也稱場效應管),是MOSFET的縮寫。場效應管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應管。
IGBT的應用范圍是多少?可應用在哪些領域?
  • 更新日期: 2022-12-15
  • 瀏覽次數(shù): 3218
IGBT的應用范圍是多少?可應用在哪些領域? 功率半導體的應用范圍 功率半導體分為以元件單位構成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分,并分別有其適合的應用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導體在開關(工作)頻率與輸出電容關系圖中的應用范圍。 【功率半導體的應用范圍】 IGBT的應用領域
薩科微運算放大器的溫度特性
  • 更新日期: 2022-12-07
  • 瀏覽次數(shù): 2354
薩科微Slkor運算放大器有著怎樣的溫度特性呢?大家都知道工作溫度范圍是指可維持IC所期待的功能,進行正常工作的范圍。IC的特性會因溫度的不同而發(fā)生變動。
怎么看運算放大器的電源電壓、工作電源電壓范圍
  • 更新日期: 2022-12-06
  • 瀏覽次數(shù): 2376
絕對最大額定項目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過絕對最大額定值的電壓或在絕對最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時,可能會導致IC的特性退化或損壞。
運算放大器的電路結構是怎樣的,與比較器相比有何不同?
  • 更新日期: 2022-12-01
  • 瀏覽次數(shù): 2489
運算放大器(運放)與比較器電路結構非常相似,經(jīng)常會有人分不清兩者,下邊給大家詳細說明一下,運算放大器的電路結構是怎樣的,與比較器相比有何不同?
運算放大器(運放)都有哪些類型?
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數(shù): 5801
運算放大器類型可根據(jù)參數(shù)大體可分為通用型、低溫漂型、高速型、高阻型、高壓大功率型、低功耗型、可編程控制型,根據(jù)輸入/輸出電壓范圍的差異,可分為雙電源運算放大器、單電源運算放大器、軌到軌運算放大器。
運算放大器是什么,該如何選用?
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數(shù): 2519
運算放大器(Operational Amplifier)又名:運放,內(nèi)含多級放大電路的電子集成電路,是一種具有很高放大倍數(shù)的電路單元。輸入級是差分放大電路,具有高輸入電阻和抑制零點漂移能力;中間級主要進行電壓放大,具有高電壓放大倍數(shù),一般由共射極放大電路構成;輸出極與負載相連,具有帶載能力強、低輸出電阻特點。
IGBT是什么?都有哪些特點?
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數(shù): 5451
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也稱為:絕緣柵雙極晶體管,IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
何為SiC功率模塊?
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數(shù): 3456
何為SiC功率模塊?隨著近年來,對半導體材料的要求及性能的不斷提高,單個功率器件已無法完全滿足需求,于是就有了功率模塊的出現(xiàn),SiC功率模塊則是為了滿足對材料要求更高的電子電路所設計的,接下來跟隨薩科微小編詳細了解一下。
碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數(shù): 6794
SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。

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