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行業新聞
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分享半導體功率器件行業前沿資訊,開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等,乘“國產替代”的東風,以強芯強國為使命,薩科微立志成為“國產半導體領導者”,為中國芯的強大和中華民族的偉大復興貢獻力量!
重磅突發!又一家芯片公司被收購,價格57億
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2193
幾小時前,也就是美國東部當地時間3月2日下午2:05,英飛凌官宣收購氮化鎵初創公司 GaN Systems,交易總值8.3億美元現金(57億人民幣)。 GaN Systems 成立于2008年,是一家位于加拿大渥太華的第三代半導體無晶圓設計公司,主營業務是開發基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉換解決方案。公司……
產業寒冬下,電子元器件分銷商戰績如何?
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2157
近日,艾睿電子、安富利、大聯大、文曄等全球排名前列的元器件分銷商和香農芯創、力源信息、雅創電子和英唐智控、好上好等多家本土元器件分銷商陸續公布了2022年業績報告/業績預告。 正值全球半導體產業的寒冬,哪些元器件分銷商繼續保持了高增長態勢?哪些元器件分銷商增……
瑞薩電子構建的汽車“芯”版圖
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2419
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)汽車產業正在機械化向新四化發展,即電動化、智能化、網聯化、共享化。傳統的汽車零部件發動機、變速箱等架構組成正在演變成新的汽車電子電氣架構,并從域控逐漸走向中央計算單元。 對于汽車電子行業趨勢的變化,瑞薩電子已經做出了前瞻判斷和廣泛部署。在2022慕尼黑華南電子展同期舉行的瑞薩……
瞻芯電子完成數億元B輪融資,為國產碳化硅(SiC)持續加碼
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2275
近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)完成數億元B輪融資,本輪融資由國方創新領投,國中資本、臨港新片區基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構跟投,老股東臨芯投資、光速中國、廣發信德持續追加。 投資人觀點 國方創新管理合伙人孫忞先生表示:碳中和時代背景下,新能源車和光伏、儲能……
PCBA元器件間距的DFA可焊性設計
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 1700
“ SMT貼片加工逐步往高密度、細間距的設計發展,元器件的最小間距設計需考慮smt廠家的經驗程度和工藝是否完善。元器件最小間距的設計除了保證smt焊盤間不……
重磅!政府調研IC企業;國資委、工信部喊話中國半導體
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2054
01 國家相關領導人調研集成電路企業并主持召開座談會 ……
一文讀懂氧化鎵(第四代半導體)
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 瀏覽次數: 6785
本篇行業研究由沃衍資本投研部出品 近來,氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料,得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”,與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比,氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV,更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的……
東莞沖出超級芯片獨角獸
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 瀏覽次數: 2202
這一次是東莞。 投資界獲悉,廣東天域半導體股份有限公司(簡稱“天域半導體”)近日獲約12億人民幣融資,投資方包括中國比利時基金、廣東粵科投、南昌產業投資集團、嘉元科技、招商資本、乾創資本等。另外,天域半導體的上市輔導備案,開始奔赴IPO了。 這是東莞乃至大灣區罕見的半導體獨角獸。成立于2009年,天域半導體……
中國大陸半導體前道制造設備數據月報(2022-122)
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 瀏覽次數: 2135
數據概覽: 根據中國大陸海關說明,半導體前道制造設備可分為以下類別,分別對應前道制造中的熱處理、CVD、PVD、其他沉積、光刻、干法刻蝕、其他刻蝕與離子注入等流程。 以下為數據的統計結果圖表: 最近3月,中國大陸半導體前道制造設備進口金額為3919.5百萬美元,較去年同期下降2……
芯片巨頭“下南洋”:擔憂的不是現狀,是趨勢
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 瀏覽次數: 1873
劃重點: 1. 這幾年,在我們加速技術“去美國化”的同時,海外芯片巨頭也在加速業務轉移,紛紛將目光轉向東南亞。 ……
氧化鎵:第四代寬禁帶半導體材料
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 瀏覽次數: 2587
近來,氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料,得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”,與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比,氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV,更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶,因此氧化鎵具有耐高……
布局第三代半導體封測材料,江豐電子切入覆銅陶瓷基板領域
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 瀏覽次數: 2241
2月18日,江豐電子公司控股子公司寧波江豐同芯半導體材料有限公司(以下簡稱“江豐同芯”)于近日舉行開業暨投產儀式。 圖源:江豐電子官微 江豐同芯擁有覆銅陶瓷基板行業深耕多年的技術專家數人,目前已搭建完成國內首條具備世界先進水平、自主化設……

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