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一文讀懂射頻芯片與通信（漫畫版）

更新日期： 2022-05-30
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走進晶圓廠，深入了解芯片制造流程

更新日期： 2022-04-14
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有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達七層樓高，長度相當于四個足球場。微芯片在許多方面都是現代經濟的命脈。它們為電腦、智能手機、汽車、電器和其他許多電子產品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導致供應鏈中斷，導致全球短缺。

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基帶、射頻，到底是干什么用的？

更新日期： 2022-04-14
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現在都流行“端到端”，我們就以手機通話為例，觀察信號從手機到基站的整個過程，來看看基帶和射頻到底是干什么用的。

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歷時3年研發，OPPO發布首顆自研NPU芯片：馬里亞納 MariSilicon X

更新日期： 2022-03-10
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作者 | 凌敏自研 NPU 芯片，可能只是一個開始。 OPPO 發布首顆自研 NPU 芯片在 12 月 14 日舉行的 OPPO 未來科技大會 2021 上，OPPO 正式發布首顆自研 NPU 芯片馬里亞納 MariSilicon X。據 OPPO 創始人兼首席執行官陳明永介紹，該芯片經過 3 年研發，是……

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TWS耳機藍牙主芯片方案32家及其全產業鏈！

更新日期： 2022-03-10
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近日，Canalys報告顯示，在連續幾個季度均以兩位數的勢頭強勁增長后，TWS出貨量似乎已臨近頂峰，增長率降至6.4%，2021年第二季度整體僅出貨5830萬臺，創三年以來新低。據悉，2021年第二季度，全球個人智能音頻市場出貨量達9980萬臺，整體增長4.7%。AirPods TWS設備的出貨量在20……

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半導體發展的四個時代

更新日期： 2022-03-10
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臺積電的 Suk Lee 發表了題為“摩爾定律和半導體行業的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業傳奇而動蕩的歷史中發掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋的那樣，半導體行業第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細看看這個演講的內容。半導體的第一個時代——IDM 最初……

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關于中國半導體功率器件的十強企業整理

更新日期： 2022-03-10
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（以下報告出品方/作者：中信建投證券/劉雙鋒，范彬泰）一、物聯網驅動的電動化和智能化帶來功率半導體新周期（一）復盤 2020-2021 年功率半導體周期：漲價與隱憂自 2019 年底開始，5G 手機的普及率不斷上升，是整個半導體行業需求的動力來源。市場對未來幾年5G手機的……

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一個經典的電源電路，分析的很徹底！值得一看！

更新日期： 2022-03-10
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在電子小幫手電路中的設計原理中，給出了實現電路電子開關電路分析。電路的原理圖如下圖所示。 ▲ 開關電路簡化后的電路在電路上電之前。開關"TEST"斷開，單片機也沒有通過VCC加電。此時，T1的基極通過R9(100k)接地，處于截止狀態。T3的基級電……

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國內外陀螺儀生產廠家及其工作原理介紹！

更新日期： 2022-03-10
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國內陀螺儀廠家水木智芯科技（北京）有限公司公司致力于MEMS陀螺芯片及加速度計芯片的設計、制造、測試、封裝、銷售及MEMS慣導單元的組裝。產品可廣泛應用于汽車、手機、數碼相機、游戲機、電腦、精細農業等高端消費電子領域。努力填補中國在這個領域的產業空白。公司致力于打造集研發、生產、銷售于一體的專業性高科技……

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全球十大模擬IC廠商最新排名出爐！TI蟬聯第一，Skyworks增長最為強勁

更新日期： 2022-03-10
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模擬 IC 仍然是當今幾乎所有以數字為中心的系統中的關鍵組件。消費類、計算、通信、汽車和工業/醫療系統依靠模擬設備來管理功耗并幫助延長便攜式設備的電池壽命。每年的5~6月間，IC Insights都會按照各大公司的財報，總結出上一年度的全球模擬IC廠商銷售額排名。 6月2日，IC Insights……

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半導體芯片設計-晶圓代工-封測三部曲產業鏈

更新日期： 2022-03-10
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一、芯片設計集成電路是電子信息產業的基石，而IC設計作為集成電路產業鏈上游，是最具發展活力和創新的重要環節，具有高投入、高風險、高產出的特點。近年來中國芯片設計產業在提升自給率、政策支持、規格升級與創新應用等要素的驅動下，保持了高速成長的趨勢。根據SEMI數據，我國芯片設計行業保持了較快的增長態勢，2020年……

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深度剖析：IGBT的結構與工作原理

更新日期： 2022-03-10
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IGBIGBT的結構圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P-區，溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件

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