Functional Logic Simulation可以看作是芯片設(shè)計(jì)的“邏輯驗(yàn)證”階段，確保設(shè)計(jì)功能如預(yù)期工作。它的主要目的是在時(shí)序無關(guān)的情況下，確認(rèn)芯片的邏輯結(jié)構(gòu)是否正確。這個(gè)步驟幫助工程師在芯片制造之前，發(fā)現(xiàn)并修正設(shè)計(jì)中的邏輯錯(cuò)誤。

最近讀者提問：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個(gè)問題時(shí)，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設(shè)備兼容性等多個(gè)角度進(jìn)行分析。

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個(gè)關(guān)鍵概念，它涉及到半導(dǎo)體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導(dǎo)體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學(xué)工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉(zhuǎn)移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

在晶圓制造中，良率的管理和提升是一個(gè)復(fù)雜而持續(xù)的過程，需要在工藝、設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備等多個(gè)方面進(jìn)行綜合的優(yōu)化和管理。通過數(shù)據(jù)的分析、持續(xù)改進(jìn)的策略、客戶協(xié)同的優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)良率的最大化，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)線效率。

在全球科技飛速發(fā)展的背景下，RISC-V與人工智能（AI）的結(jié)合成為了業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)，8月19日，第四屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇在上海臨港滴水湖畔召開，北京大學(xué)講席教授、RISC-V國際基金會(huì)人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)專委會(huì)主席謝濤發(fā)表了《萬物智聯(lián)時(shí)代RISC-V+AI之路》演講，分析了RISC-V與AI技術(shù)的結(jié)合及其發(fā)……

晶圓測(cè)試（CP）屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對(duì)測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的測(cè)試廠商通過精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開與其他對(duì)手的差距。

半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過程。刻蝕工藝通常位于光刻工藝之后，利用刻蝕工藝對(duì)定義圖形的光阻層侵蝕少而對(duì)目標(biāo)材料侵蝕大的特點(diǎn)，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕工藝主要分為干法和濕法兩種。

晶圓制造工藝是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，特別是在3納米制程中，挑戰(zhàn)會(huì)更加顯著。讓我們一步步來理解EUV（極紫外光刻）多重圖案（Multi-Patterning）技術(shù)在實(shí)現(xiàn)圖案分辨率時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)。

集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”（bird beak），這是一種在氧化硅生長(zhǎng)過程中，由于氧化物側(cè)向擴(kuò)展引起的現(xiàn)象。

根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性:

在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù)，尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。