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什么是晶圓制造的MO(Mistake Operation)?
  • 更新日期: 2025-02-04
  • 瀏覽次數: 1432
MO(Mistake Operation) 是指在集成電路制造過程中,由于人為操作失誤導致的錯誤。這類錯誤可能發生在生產工藝的多個環節中,例如設備操作、數據輸入、工藝參數設置或產品檢查等。MO 通常不屬于設備本身的故障,而是因為人為疏忽或錯誤判斷而引發的問題。 MO 的特點 人為因素主導: MO 的發生主要源于操作人員的失誤,如沒有正確按照操作流程執行,
什么是晶圓制程的CPK(Process Capability Index)?
  • 更新日期: 2025-02-04
  • 瀏覽次數: 1369
CPK(Process Capability Index) 是制程能力的關鍵指標,用于評估工藝過程能否穩定生產出符合規格范圍的產品。它通過統計分析實際數據來衡量制程的中心位置與規格目標的偏離程度,同時考慮過程的變異情況。換句話說,CPK反映了制程滿足設計要求的能力,以及制程的性能穩定。 CPK 的計算公式如下: C P
DeepSeek對芯片算力的影響
  • 更新日期: 2025-02-04
  • 瀏覽次數: 1665
DeepSeek模型,尤其是其基于MOE(混合專家)架構的DeepSeek-V3,對芯片算力的要求產生了深遠影響。為了更好地理解這一影響,我們可以從幾個方面進行分析。 1.MOE架構對算力的優化 MOE架構的核心理念是將整個模型劃分為多個子模型(專家),每個子模型負責特定的任務,且在實際推理時并非激活所有專家,而是根據輸入數據選擇性激活需要的專家。對于芯片算力的影響主要體現在以下幾點:
Field Engineer:半導體設備的醫生
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 1617
可以將FE比作是一個“戰地指揮官”,他們直接面對現場的挑戰,帶領團隊解決問題。在工廠或生產現場,FE就像是“設備的醫生”,時刻關注設備的健康狀況,及時為設備“治療”,確保生產的順利進行。FE的職責不僅僅是“修理”問題,還包括“預防”問題,通過現場的分析與優化,減少設備故障和生產停滯的風險。 1. 定義和角色定位 ……
什么是邊緣芯片(edge die)
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 1314
邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區域的芯片,由于晶圓制造過程中的掩模對準誤差或晶圓切割等原因,這些芯片可能在設計上存在缺陷或尺寸不完整。以下是對邊緣芯片的詳細解釋: 1. 邊緣芯片的形成原因 晶圓制造過程中,光刻、沉積、刻蝕等工藝的作用通常會集中在晶圓的中心區域,因為這些區域的對準精度更高、工藝……
一文解讀半導體掩膜版
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 2013
晶圓制造核心材料 掩膜版,亦稱光罩,是微電子制造領域內光刻工藝不可或缺的核心組件,其角色相當于傳統攝影中的“底片”,扮演著承載精密圖形設計和技術知識產權信息的媒介角色。這一技術廣泛應用于半導體生產、平板顯示制造、電路板生產及觸控屏產業等多個高科技領域。依據最終應用領域的差異,掩膜版被細分為平板顯示掩膜版、……
BOAT(晶舟):承載和傳送晶圓的工具
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 1725
在半導體集成電路(IC)制造過程中,BOAT(晶舟)是一種常用的工具,主要用于承載、傳送、清洗和處理芯片。它的作用類似于運輸工具,確保芯片在復雜的制造工藝中能夠順利、安全地完成各個環節的處理。 一、BOAT的定義與功能 BOAT是半導體制造過程中用于承載和傳送芯片的工具。它的名稱“晶舟”形象地比喻了其在半導……
晶圓定位邊(wafer flat)和凹槽(notch)之間的關系
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 1604
晶圓定位邊(wafer flat)和凹槽(notch)是晶圓制造過程中用于確定晶圓方向的重要特征,它們在晶圓的加工、對準和檢測中發揮著至關重要的作用。 1. 晶圓定位邊(Wafer Flat) 晶圓定位邊是指晶圓外緣上平直的部分,它用于標記晶圓的特定方向,確保在晶圓的加工和處理過程中,晶圓能夠正確地對準。可……
為什么晶圓的邊需要鋪滿電路?
  • 更新日期: 2025-01-15
  • 瀏覽次數: 1124
晶圓制造工藝是半導體生產中的關鍵步驟,晶圓的邊緣區域對整個制造過程和成品良率具有重要影響。 1. 防止邊緣效應影響芯片質量 邊緣效應指的是由于晶圓邊緣的處理不同于中心區域,導致的電學和物理性能的差異。晶圓邊緣由于距離加工工具較遠或光刻曝光時的處理不均,可能會出現性能不穩定的情況。比如,金屬層和通孔的連接可能……
SIA:敦促美國貿易代表辦公室謹慎行事,并與業界密切合作
  • 更新日期: 2024-12-26
  • 瀏覽次數: 1372
2024年12月23日,美國貿易代表辦公室宣布對中國成熟制程芯片發起301條款調查。對此,美國半導體行業協會(SIA)總裁兼首席執行官 John Neuuffer發布聲明回,內容涉及拜登政府決定發起 301 條款貿易調查,重點關注中國與針對半導體行業占據主導地位相關的行為、政策和做法。 以下為聲明原文: 中……
英諾賽科即將登陸港股:氮化鎵分立器件累計出貨量全球第一!
  • 更新日期: 2024-12-23
  • 瀏覽次數: 1464
氮化鎵龍頭大廠英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請之后,12月12日晚間,根據港交所披露的信息顯示,英諾賽科已經通過上市聆訊,并披露聆訊后資料集。 根據計劃,英諾賽科將全球發售4536.4萬股H股,發售價區間為每股30.86港元至33.……

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