光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，相當(dāng)于芯片制造工藝的“印刷機(jī)”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據(jù)不同光源類型，光刻機(jī)可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機(jī)的分辨率主要由兩個(gè)參數(shù)決定：光源的波長(zhǎng)（λ）和物鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑（NA）。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，波……

在先進(jìn)封技術(shù)中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關(guān)鍵的垂直互連技術(shù)，它通過(guò)在芯片內(nèi)部打通的通道實(shí)現(xiàn)了電氣信號(hào)的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率，減少信號(hào)延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對(duì)TSV技術(shù)的詳細(xì)解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……

Functional Logic Simulation可以看作是芯片設(shè)計(jì)的“邏輯驗(yàn)證”階段，確保設(shè)計(jì)功能如預(yù)期工作。它的主要目的是在時(shí)序無(wú)關(guān)的情況下，確認(rèn)芯片的邏輯結(jié)構(gòu)是否正確。這個(gè)步驟幫助工程師在芯片制造之前，發(fā)現(xiàn)并修正設(shè)計(jì)中的邏輯錯(cuò)誤。

最近讀者提問(wèn)：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個(gè)問(wèn)題時(shí)，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設(shè)備兼容性等多個(gè)角度進(jìn)行分析。

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個(gè)關(guān)鍵概念，它涉及到半導(dǎo)體制造過(guò)程中掩模版的使用。掩模版是半導(dǎo)體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學(xué)工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過(guò)光刻過(guò)程轉(zhuǎn)移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開(kāi)來(lái)，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

在晶圓制造中，良率的管理和提升是一個(gè)復(fù)雜而持續(xù)的過(guò)程，需要在工藝、設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備等多個(gè)方面進(jìn)行綜合的優(yōu)化和管理。通過(guò)數(shù)據(jù)的分析、持續(xù)改進(jìn)的策略、客戶協(xié)同的優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)良率的最大化，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)線效率。

在全球科技飛速發(fā)展的背景下，RISC-V與人工智能（AI）的結(jié)合成為了業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)，8月19日，第四屆滴水湖中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇在上海臨港滴水湖畔召開(kāi)，北京大學(xué)講席教授、RISC-V國(guó)際基金會(huì)人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)專委會(huì)主席謝濤發(fā)表了《萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代RISC-V+AI之路》演講，分析了RISC-V與AI技術(shù)的結(jié)合及其發(fā)……

晶圓測(cè)試（CP）屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬(wàn)顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對(duì)測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的測(cè)試廠商通過(guò)精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開(kāi)與其他對(duì)手的差距。

臺(tái)積電的CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，旨在提升集成電路的性能、減小封裝尺寸，并有效降低功耗。CoWoS技術(shù)通過(guò)在一個(gè)硅中介層（Interposer）上集成多個(gè)芯片（或芯片組），形成一個(gè)高性能的封裝解決方案。該技術(shù)主要應(yīng)用于需要高帶寬和低延遲的高性能計(jì)算……

半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過(guò)程。刻蝕工藝通常位于光刻工藝之后，利用刻蝕工藝對(duì)定義圖形的光阻層侵蝕少而對(duì)目標(biāo)材料侵蝕大的特點(diǎn)，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕工藝主要分為干法和濕法兩種。

晶圓制造工藝是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，特別是在3納米制程中，挑戰(zhàn)會(huì)更加顯著。讓我們一步步來(lái)理解EUV（極紫外光刻）多重圖案（Multi-Patterning）技術(shù)在實(shí)現(xiàn)圖案分辨率時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)。