穩(wěn)壓 二極管和快速恢復(fù) 二極管 ??穩(wěn)壓二極管是由pn結(jié)的反向擊穿特性表現(xiàn)出的穩(wěn)壓性能制成的器件，又稱齊納二極管或反向擊穿二極管，在電路中起到穩(wěn)壓的作用。它利用二極管反向擊穿后，在一定的反向電流范圍內(nèi)，反向電壓不隨反向電流變化的特性來穩(wěn)定電壓。 一般由硅半導(dǎo)體材料通過合金法或擴(kuò)散法制成。……

如何正確選擇 MOS管？需要注意哪些細(xì)節(jié)？ ?? MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω）、低噪聲、低功耗、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。 ??1)用N溝道或P溝道？ ……

可控硅的兩種觸發(fā)方式：移相觸發(fā)和過零觸發(fā)觸發(fā) 可控硅作為交流元器件的一種，有雙向和單相可控硅，由于雙向可控硅雙向性，因此在正負(fù)電源均可以導(dǎo)通，因此經(jīng)常被用于交流調(diào)節(jié)負(fù)載電路當(dāng)中，雙向可控硅一般的控制方式過零觸發(fā)以及移相觸發(fā)兩種。 ??1.過零觸發(fā) ??顧名思義，過零觸發(fā)，在過零點(diǎn)時(shí)觸發(fā)可控硅。因……

霍爾元件在電動(dòng)車轉(zhuǎn)把中的應(yīng)用 ??目前，電動(dòng)車基本上是每個(gè)家庭必不可少的交通工具之一，電動(dòng)車的安全駕駛也非常重要。隨著科技的發(fā)展，各種電動(dòng)車及配件都采用了新的安全監(jiān)控技術(shù)，尤其適用于霍爾元器件、電流傳感器等傳感器。 ??許多傳感器技術(shù)被用于制造電動(dòng)汽車，以保護(hù)我們的出行安全。 霍爾元件是一種磁感應(yīng)傳感器，……

霍爾效應(yīng)和 霍爾元件 ??當(dāng)電流在磁場中流經(jīng)半導(dǎo)體時(shí)，會(huì)在與電流成直角的方向上產(chǎn)生電壓(霍爾電壓)。這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應(yīng)。霍爾元件是一種利用霍爾效應(yīng)的磁探測元件。霍爾元素由InSb（銻化銦）和GaAs（砷化鎵）制成。根據(jù)弗萊明右手定則，線圈可以通過磁場的變化產(chǎn)生電動(dòng)勢。 利用這一原……

兩個(gè) IGBT模塊并聯(lián)比一個(gè) IGBT有什么優(yōu)勢？ ??并聯(lián)使用IGBT有以下幾個(gè)原因： ??第一：需求降低成本。以兩點(diǎn)平為例，直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，但相應(yīng)的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模塊并聯(lián)可以明顯降低成本。一般電流越大，IGBT價(jià)格越高，可供選擇的供應(yīng)商越少……

IGBT模塊有哪些功能？ ?? IGBT電源模塊由IC、各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術(shù)驅(qū)動(dòng)，從復(fù)合電源模塊PIM發(fā)展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發(fā)展，產(chǎn)品等級(jí)為1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車的VVVF變頻器。平面低電感封裝技術(shù)是PEBB以大電流IGBT模塊為有源器件，用于艦船上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒陶瓷多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低

IGBT單管與 IGBT模塊的區(qū)別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進(jìn)和升級(jí)。它們的應(yīng)用領(lǐng)域基本相同。但是，由于集成了各種驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術(shù)的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術(shù)驅(qū)動(dòng)，從復(fù)合電源模塊PIM發(fā)展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發(fā)展，產(chǎn)品等級(jí)為1200—18

可控硅的基本工作原理及其在調(diào)光器中的應(yīng)用 ??可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩個(gè)晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，而且是無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，把一個(gè)頻率的交流電變成另一個(gè)頻率的交流電等等。 ……

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產(chǎn)工藝和技術(shù)日趨成熟，目前市場推廣的最大障礙是成本。包括研發(fā)和生產(chǎn)成本，以及應(yīng)用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個(gè)電路中驅(qū)動(dòng)電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會(huì)花費(fèi)很多。由于制造成本和產(chǎn)品良率的影響，目前阻礙S……

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關(guān)斷和off四種工作狀態(tài)，因此off和on狀態(tài)分別承受高電壓和大電流，而在on和關(guān)斷，過程中，開關(guān)器件可能同時(shí)承受過壓和過流、過大的di/dt、du/dt和過大的瞬時(shí)功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關(guān)斷緩沖……

如何用萬用表檢測 可控硅 ?? 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都有三個(gè)電極。單向可控硅整流器具有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅相當(dāng)于兩個(gè)單可控硅反向并聯(lián)。即一個(gè)單向硅陽極與另一個(gè)陰極并排連接，其引出端稱為T2極，一個(gè)單向硅陰極與另一個(gè)陽極連接，其引出端稱為T2極，其余為控制電極(G)。 ……