MOS和三極管相像，但是三極管屬于電流驅(qū)動型，而MOS屬于電壓驅(qū)動型，因此在控制的時候需要考慮MOS的G端電壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導(dǎo)通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產(chǎn)品中的一個圖，是電機(jī)驅(qū)動，用的就是MOS的開關(guān)特性。另外，數(shù)字電路中所用到的三極管和MOS就是一個開關(guān)，因為數(shù)字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機(jī)IO端口直接過來的，0V和5V可變。后面一個推挽電路，然后給MOS。 怎樣用MOS管做開關(guān)電路 圖中電池的正

2021年12月12日下午，《2021正能量第五屆元器件分銷大數(shù)據(jù)應(yīng)用峰會暨年度杰出供應(yīng)商頒獎盛典》在深圳京基100·瑞吉酒店如期舉行，本次峰會匯集了千余名來自全國的元器件分銷精英，眾多華強(qiáng)北的企業(yè)的負(fù)責(zé)人創(chuàng)始人到場，為本屆論壇增添了光彩。宋仕強(qiáng)先生作為金航標(biāo)kinghelm電子和薩科微slkor……

一、指代不同 1、源極：簡稱場效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。 2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動，或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負(fù)載。 二、原理不同 1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對……

電子技術(shù)可謂是現(xiàn)如今信息時代的物理基礎(chǔ)，模擬電子技術(shù)作為電領(lǐng)域中處理連續(xù)變化信號的技術(shù)，其核心是信號的放大。在模擬電路中往往會遇見一些問題，例如：電子技術(shù)中的主要元器件有哪些？它們是如何工作的？如何用它們構(gòu)成滿足需要的放大電路和處理電路呢？ 在下述文章分享中您是否能找到這些問題的答案，以及解決這些問題的基本方法。 ……

了解并記住一些基礎(chǔ)的模擬電路是一名電子人所必須的，例如電路中哪些元器件會起到關(guān)鍵作用，電路功能受影響是哪個元器件出現(xiàn)了故障，甚至電路信號的的流向，相位變化等，也都需要了解并掌握。 模擬電路是指用來對模擬信號進(jìn)行傳輸、變換、處理、放大、測量和顯示等工作的電路。模擬信號是指連續(xù)變化的電信號。模擬電路是電子電路……

一．其實場效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D、S，有些管相反：S、D、G。我修顯示器、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看，場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測 二．1判別各電極與管型 用萬用表R×10……

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。 雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。 場效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投

模擬信號是指連續(xù)變化的電信號。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見的模擬電路問答。 薩科微中低壓MOS管 1、有源濾波器和無源濾波器的區(qū)別? 答∶無源濾波器∶這種電路主要有無源元件R、L和C組成。有源濾波器∶……

2020年下半年以來，元器件缺貨漲價已經(jīng)成為市場主旋律。缺芯甚至影響到下游終端市場正常運(yùn)行，造成了汽車產(chǎn)業(yè)的嚴(yán)重減產(chǎn)。疫情后下游需求集中爆發(fā)是本輪缺貨漲價潮的導(dǎo)火索，因中美關(guān)系不確定性而帶來的產(chǎn)業(yè)鏈恐慌性備貨，則部分放大了需求的彈性。 與缺貨漲價潮隨之而來的是全球半導(dǎo)體景氣度的持續(xù)高漲，2021年1月全球……

11月29日，士蘭微披露股票期權(quán)激勵計劃(草案)，擬向激勵對象授予的股票期權(quán)總量為2150萬份，對應(yīng)的股票數(shù)量為2150萬股，約占激勵計劃簽署時公司股本總額的1.52%。其中，首次授予2027萬股，首次授予的激勵對象共計2467人，激勵對象全部是公司的高中層管理人員及核心技術(shù)（業(yè)務(wù)）骨干，行權(quán)價格為51.27元/股。 ……

場效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場效應(yīng)控制電流的單極半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點。它被應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。 場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝……

1、單極霍爾效應(yīng)開關(guān)（數(shù)字輸出） 單極霍爾效應(yīng)開關(guān)具有磁性工作閾值(Bop)。如果霍爾單元承受的磁通密度大于工作閾值，那么輸出晶體管將開啟；當(dāng)磁通密度降至低于工作閾值(Brp)時，晶體管會關(guān)閉。滯后(Bhys)是兩個閾值(Bop-Brp)之間的差額。即使存在外部機(jī)械振動及電氣噪音，此內(nèi)置滯后頁可實現(xiàn)輸出的凈切換。……