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- 更新日期: 2024-09-19
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FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu),通過增強柵極控制和降低漏電流,實現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對于實現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導體器件是至關(guān)重要的。隨著半導體工藝節(jié)點的不斷縮小,F(xiàn)inFET技術(shù)的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景:傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)中,隨著工藝節(jié)點的縮?。ū热鐝?0nm到65nm再到更小的節(jié)點),我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn): 短溝道效應:隨著晶體管的柵極長度縮短,柵極對溝道的控制能力減