1、行業總覽：千億賽道，成熟市場疊加新興純增量市場

Ø功率半導體用于所有電力電子領域，市場成熟穩定且增速緩慢。行業發展主要依靠新興領域如新能源汽車、可再生能源發電、變頻家電等帶來的巨大需求缺口。成熟市場規模：根據IHS Markit數據顯示2018年全球功率器件市場規模為391億美元，中國功率市場規模為138億美元，全球占比35%。純增量市場規模：我們主要測算了國內新能源汽車、充電樁、光伏和風電四個領域中應用功率半導體市場空間。①新能源汽車領域市場需求到2025年約160億元，2030年約275億元。②公共直流充電樁領域2020-2025年累計市場需求約140億元，2025-2030年累計需求約400億元。③光伏領域2020-2025年累計市場需求約50億元，隨政策調整有望進一步增長。④風電領域2020-2024年累計市場需求約30億元。整體看，國內功率半導體市場2025年四個領域提供純增量規模預計達200億元。Ø根據Omdia數據顯示，2018年全球排名前十功率半導體企業來自于美國、歐洲和日本，合計市占率達60%。國內功率半導體市場自給率偏低，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%，國產替代空間巨大。

2、行業發展趨勢一：不需要追趕摩爾定律，倚重制程工藝、封裝設計和新材料迭代，整體趨向集成化、模塊化

Ø功率半導體整體進步靠制程工藝、封裝設計和新材料迭代。設計環節：功率半導體電路結構簡單，不需要像數字邏輯芯片在架構、IP、指令集、設計流程、軟件工具等投入大量資本。制造環節：因不需要追趕摩爾定律，產線對先進設備依賴度不高，整體資本支出較小。封裝環節：可分為分立器件封裝和模塊封裝，由于功率器件對可靠性要求非常高，需采用特殊設計和材料，后道加工價值量占比達35%以上，遠高于普通數字邏輯芯片的10%。Ø提升性能和降低成本推動晶片向集成化、小型化發展。根據Omdia預測，2020-2024年分立器件市場增速為2.2%，而功率模塊市場增速為5.4%。新興市場使中高端產品如IGBT和功率MOSFET需求變大。根據WSTS數據統計，全球功率MOSFET增速為7.6%，IGBT為8.9%。目前，根據在研項目和產品布局看，國內企業開始向價值量更高的中高端產品轉型。

3、行業發展趨勢二：新能源與5G通信推動第三代半導體興起

Ø新能源、5G等新興應用加速第三代半導體材料產業化需求，我國市場空間巨大且有望在該領域快速縮短和海外龍頭差距。①天時：第三代材料在高功率、高頻率應用場景具有取代硅材潛力，行業整體處于產業化起步階段。②地利：受下游新能源車、5G、快充等新興市場需求以及潛在的硅材替換市場驅動，目前深入研究和產業化方向以SiC和GaN為主，國內市場空間巨大。③人和：第三代半導體核心難點在材料制備，其他環節可實現國產化程度非常高，加持國家在政策和資金方面大力支持。我們認為該行業技術追趕速度更快、門檻準入較低、國產化程度更高，中長期給國內功率半導體企業、襯底材料供應商帶來更多發展空間確定性更強。

4、行業發展趨勢三：IDM模式更適合功率半導體行業，代工可以提供產能、工藝技術補充

Ø海外功率半導體龍頭企業都采用IDM模式，國內功率半導體行業商業模式以IDM為主，設計+代工為輔。目前，國內IDM企業（如士蘭微）和代工企業（如中芯紹興）都在積極擴充產能和升級產線，從4/6寸升級到6/8寸甚至更高，整體追趕國際主流水平。產能擴充可以認為公司技術儲備和產品性能已經達到國際同類產品水平，后續通過開拓客戶和搶占市場份額實現營收增長。ØIDM與代工并行符合國內行業格局現狀，雙模式運行并不沖突，有效利用我國產能資源，實現優勢互補。IDM模式可以提高產品毛利并建立技術壁壘。我國特色工藝和封裝技術處于國際先進水平，工藝技術和產能部署完善。功率半導體企業與代工企業長期合作，可以實現產能補充和獲得工藝技術支持。

投資建議

推薦綜合實力強勁的全球標準器件龍頭聞泰科技（600745）；代工與IDM模式并行，擁有國內最全面的功率器件產品線龍頭華潤微（688396）；國內功率器件領軍企業揚杰科技（300373）；國內晶閘管龍頭捷捷微電（300623）；國內IGBT模塊龍頭斯達半導（603290）；

同時建議關注：通過產品組合調整，向中高端進軍的老牌功率IDM龍頭華微電子（600360）；化合物半導體代工龍頭三安光電（600703）；大功率器件優質公司臺基股份（300046）；產品線豐富的IDM龍頭士蘭微（600460）；高壓、大功率晶閘管龍頭派瑞股份（300831）。

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