一、指代不同

1、源極：簡稱場效應管。T僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，或驅動比芯片電源電壓高的負載。

二、原理不同

1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區并聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出一個電極。

2、漏極：將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。

擴展資料：

源極結構原理

在一塊P型半導體的兩邊各擴散一個高雜質濃度的N+區，就可以制成一個P溝道的結型場效應管。上圖給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向，可以確認溝道的類型。

漏極結構原理

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

參考資料來源：

百度百科-源極

參考資料來源：

百度百科-漏極

請問mos管柵極、源極、漏極的由來

gate相當于一個門（開關）VG大于VT管子導通，源就是電子來源的地方，漏就是電子消失（漏掉）的地方。

MOS管的源極和漏極有什么區別？

通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是ntype，那么通道也會是ntype

動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息那為什么電荷保?

動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能[敏感詞]等于0，所以電荷保存的時間有限

場效應管漏極，源極，柵極的作用?

場效應管源極電位比柵極電位高（約0.4V)。

場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件.

有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.

場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用.to-3p這種直插式的封裝，有字的一面朝向自己，引腳向下，這樣從左到右依次是 g、c、e。

其中，g就是柵極，

c是集電極，相當于d漏極，

e是發射極，相當于s源極。

MOS的源極和漏極有什么區別？

1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，泄漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。

2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。mos管的定義：場效應管的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。 把兩邊的p區引出電極并連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由于導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效應管。

場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場效應管在制造產品

時已把源極和襯底連接在一起了

，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。MS在半導體材料的層面上沒有本質區別,當時在半導體器件設計時, 一般將襯底極與源極相連,所以MOSFET的開關性能與V_{GS}相關,只要V_{GS}超過閾值,就導通/截止(取決于耗盡型還是增強型)所以本質上S,D是由半導體器件制造時內部連接方式決定的.所以反接會導致短路

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經理  

QQ：332496225   丘經理

地址：深圳市龍華新區民治大道1079號展滔科技大廈C座809室