天眼查App顯示，近日，東莞市天域半導體科技有限公司發(fā)生工商變更，新增股東華為關聯(lián)投資機構(gòu)深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）等；注冊資本由約9027萬增至約9770萬，增幅超8%。

據(jù)天域官網(wǎng)信息，天域(TYSiC)成立于2009年。它是中國[敏感詞]家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的私營企業(yè)。 2010年，天域與中國科學院半導體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所，該研究所由該領域最優(yōu)秀的人才組成。天域是中國[敏感詞]家碳化硅半導體材料供應鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認證(IATF 16949) 。目前，天域在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。 月產(chǎn)能 5000件。 憑著[敏感詞]的外延能力和[敏感詞]的測試和表征設備，天域為全球客戶提供 n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等。

此前，華為哈勃曾入股了碳化硅企業(yè)天科合達，天科合達是全球排名第四、我國排名[敏感詞]的碳化硅晶片制造商，目前已經(jīng)實現(xiàn)6英寸碳化硅晶片的批量供應。目前上交所已受理北京天科合達IPO申請，

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是繼硅之后最有前景的半導體材料。第三代半導體材料是我國“新基建”戰(zhàn)略的重要組成部分，有望引發(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。

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