在當(dāng)今快速發(fā)展的電子時代，高性能電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性成為了市場競爭的關(guān)鍵因素。隨著各類電子設(shè)備功能日益復(fù)雜，它們對電路保護(hù)元件的需求也日益提升。瞬態(tài)抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode），作為一種重要的電路保護(hù)元件，正發(fā)揮著越來越重要的作用。今天，我們將重點介紹一款雙向瞬態(tài)抑制二極管——SMF28CA，并結(jié)合同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目的啟動新聞，探討這一創(chuàng)新產(chǎn)品背后的技術(shù)實力與行業(yè)影響。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMF28CA產(chǎn)品圖

SMF28CA瞬態(tài)抑制二極管以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了市場上備受矚目的產(chǎn)品。該二極管的極性為雙向，意味著它能夠在正向和反向電壓下均提供有效的瞬態(tài)電壓抑制。其反向截止電壓（Vrwm）為28V，確保了在正常工作電壓下二極管處于高阻態(tài)，不會對電路產(chǎn)生干擾。而擊穿電壓范圍在31.1V至34.4V之間，使得二極管在遭遇瞬態(tài)過電壓時能夠迅速導(dǎo)通，將電壓鉗制在一個安全水平。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMF28CA規(guī)格書

值得注意的是，SMF28CA的反向漏電流（Ir）僅為4.4μA，這大大減少了在正常工作條件下的功耗，提高了電路的能效。更重要的是，該二極管在10/1000μs的脈沖寬度下，能夠承受高達(dá)45.4A的峰值脈沖電流（Ipp），并且[敏感詞]鉗位電壓僅為1V，這意味著在[敏感詞]瞬態(tài)條件下，它能夠迅速有效地將電壓降低到安全水平，保護(hù)電路不受損壞。此外，其峰值脈沖功率（Ppp）在相同脈沖寬度下達(dá)到了200W，進(jìn)一步增強了其應(yīng)對高能量瞬態(tài)沖擊的能力。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMF28CA相關(guān)參數(shù)

SMF28CA的這些卓越性能，得益于先進(jìn)的半導(dǎo)體材料和制造工藝。而作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，同光半導(dǎo)體近期宣布啟動年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目，無疑為包括瞬態(tài)抑制二極管在內(nèi)的眾多高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了強有力的支持。該項目預(yù)計總投資8.82億元，不僅彰顯了同光半導(dǎo)體在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張上的堅定決心，也預(yù)示著中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)將迎來一次質(zhì)的飛躍。

碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高擊穿電場強度、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度等特性，在高壓、高頻、高溫等[敏感詞]條件下展現(xiàn)出比傳統(tǒng)硅材料更優(yōu)異的性能。因此，碳化硅單晶襯底被廣泛應(yīng)用于制造高性能功率器件，如MOSFET、IGBT以及瞬態(tài)抑制二極管等。同光半導(dǎo)體的這一項目，將極大提升我國碳化硅單晶襯底的自給率，降低對進(jìn)口材料的依賴，從而推動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控發(fā)展。

結(jié)合SMF28CA瞬態(tài)抑制二極管和同光半導(dǎo)體的碳化硅項目來看，我們可以清晰地看到，技術(shù)創(chuàng)新和材料升級是推動電子產(chǎn)品性能提升和產(chǎn)業(yè)升級的重要動力。SMF28CA以其卓越的保護(hù)性能和廣泛的應(yīng)用前景，成為了電子設(shè)備電路保護(hù)的理想選擇；而同光半導(dǎo)體的碳化硅項目，則為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了堅實的基礎(chǔ)和廣闊的前景。我們有理由相信，在未來的電子市場中，以SMF28CA為代表的瞬態(tài)抑制二極管和碳化硅基半導(dǎo)體器件將發(fā)揮越來越重要的作用，引領(lǐng)電子產(chǎn)品向更高效、更可靠、更智能的方向發(fā)展。

薩科微slkor瞬態(tài)抑制二極管（TVS）

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