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模擬集成電路設計流程——版圖設計基礎（二）

發布時間：2022-03-18作者來源：薩科微瀏覽：5245

由于反相器版圖設計簡單，器件數量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，關于Layout XL工具的使用大家可以自行試驗。
調入NMOS和PMOS晶體管之后，選中器件，按下快捷鍵q按照原理圖中的尺寸編輯器件屬性，使MOS管的W、L與原理圖中保持一致。

在編輯器件屬性的時候可以根據器件尺寸調整器件形態，比如單個器件W太大時不利于版圖布局，可以調整器件插指(Fingers)數量和插指寬度(Finger Width)之間的關系，只要器件的總寬度(Total Width)與設計值保持一致就可以。

調用PDK的器件也可以選擇是否添加柵極接觸孔(Gate Connection)和是否連接源漏(S/D Connection, 只對多插指結構有用)，這些PDK提供的功能可以讓用戶方便地畫版圖。

調整好尺寸和布局的器件如圖所示，下面開始實現器件間的連線，在LWS欄中選擇M1, 然后使用快捷鍵p或者r, 完成MOS管之間的連線，把AVDD和AVSS的線分別預留在上下位置，最后使用快捷鍵l, 為連線節點命名（使用與metal相對應的txt層，比如：M1TXT層）。完成以上步驟之后，版圖看上去應該和下圖中的截圖相似。

以上完成了器件之間的連線，剩下的一項內容可能不容易理解，也是很多初學者容易忽視的地方，就是給NMOS和PMOS加上襯底接觸。那么何為襯底接觸呢？

我們都知道MOS是一個四端器件，這個在原理圖中也可以注意到，版圖中的襯底接觸就是MOS的第四端，這一端對于NMOS來說就是整個芯片的襯底（只對標準CMOS工藝來講），對于PMOS就是NWell，所以NMOS的襯底接觸做在p plus上，PMOS的襯底接觸做在NWell上，襯底接觸的實現在反相器的截面圖中也可以清楚地看到。