a) 小電源優(yōu)先在信號層鋪銅，其次通過滿足載流的走線連接；

 

b) 12V、5V 電源如果是開關(guān)電源的輸入電源，優(yōu)先在信號層處理掉（表層、內(nèi)層信號層），如果一定要在平面層分割，不要用作重要信號線的參考平面；這樣可以有效減小此類“高”壓對信號的影響；

c) 如果分割出的電源平面用作信號的參考平面，電源平面優(yōu)先作為用電模塊的信號參考平面；如果有多個電源，優(yōu)先參考電壓低的電源；例如 DDR3，使用的是 1.5V 電 源，則 1.5V 電源平面可以用作 DDR3 模塊的信號參考平面，但盡量不要參考 3.3V 電源或者其他電源；（通常 DDR3 數(shù)據(jù)參考地平面，地址控制信號參考電源平面） 

d) 電源平面和地平面緊相鄰，如果電源平面相鄰的是信號層，盡量在信號層多補(bǔ)一些 GND 銅，并打 GND 過孔；

e) 分割線寬度要合理；分割線寬度和兩個電源的電壓差有關(guān)，一般推薦：模數(shù)之間分割寬度：25mil；數(shù)字之間分割寬度 15mil，局部可以更小一些；分割線寬度也可以根據(jù)板上空間情況靈活調(diào)整，原則上越大越好； 

f) 機(jī)殼地分割隔離寬度優(yōu)先 2mm，局部根據(jù)情況調(diào)整，一般要求不小于 1mm；其他 信號遠(yuǎn)離機(jī)殼地，包括信號線、過孔、鋪銅等； 

g) 如果電源/地平面有分割，注意相鄰信號層信號線不要跨分割，盡量避免分割開的參考平面上有高速信號的跨越。

h) 分割的電源過孔避開隔離帶，隔離帶避銅，會導(dǎo)致此類電源過孔沒有連接； 

i) 模擬區(qū)域的電源，為了減小電源對信號的影響，一般不推薦大面積鋪電源網(wǎng)絡(luò)銅， 一般是在信號層處理掉，電源鋪銅或者走線滿足載流即可，其他區(qū)域盡量多鋪地銅 和打地過孔； 

j) 高壓電源和低壓電源要分區(qū)，間距越大越好；避免高壓干擾低壓電源和信號； 

k) 常見的爬電避讓間距： 

i. 電壓＜24V 時(shí),表層蓋阻焊、間距≥0.13mm；表層不蓋阻焊、間距≥0.64mm

ii. 24V≤電壓＜48V 時(shí)、初級側(cè)間距≥0.5mm，次級側(cè)間距≥0.2mm；

iii. 48V≤電壓＜100V 時(shí)，間距≥1mm 

iv. 100V≤電壓＜200V 時(shí)，間距≥1.5mm 

v. 200V≤電壓＜400V 時(shí)，間距≥2.5mm 

vi. 400V≤電壓＜600V 時(shí)，間距≥3.2mm 

vii. 電壓≥600V 時(shí)，間距≥5mm

l）確認(rèn)電源、地能承載足夠的電流。過孔數(shù)量是否滿足承載要求

（估算方法：外層銅厚1oz時(shí)1A/mm線寬，內(nèi)層0.5A/mm線寬）

m）為降低平面的邊緣輻射效應(yīng)，在電源層與地層間要盡量滿足20H原則。

（條件允許的話，電源層的縮進(jìn)得越多越好）。

“20H原則”是指要確保電源平面邊緣比地平面（0V參考面）邊緣至少縮進(jìn)相當(dāng)于兩個平面之間間距的20倍，其中H就是指電源平面與地平面之間的距離，如下圖。

為什么需要20H原則？

在高速PCB中，通常電源平面和地平面間相互耦合RF能量成為邊緣磁通泄露情況，而且RF能量（RF電流）會沿著PCB邊緣輻射出去，為了減少這種耦合效應(yīng)，所有的電源平面物理尺寸都要比最近鄰的地平面尺寸小20H。

n)如果存在地分割，檢查避免分割的地是否不構(gòu)成環(huán)路？

o）相鄰層不同的電源平面是否避免了交疊放置？

p）保護(hù)地、GND的隔離是否大于4mm？

q）靠近帶連接器面板處是否布10~20mm的保護(hù)地，并用雙排交錯孔將各層相連？

r）電源走線有效寬度檢查：正負(fù)片銅是否有打斷（BGA、過孔密集、以及過孔密集處是否有高速總線），需重點(diǎn)關(guān)注0.8mmBGA。