土豪登場-IGBT5

“土豪金” 芯片

特征：

溝槽柵+場截止+表面覆蓋銅

IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的產品，別的芯片表面金屬化都用的鋁，而IGBT使用厚銅代替了鋁，銅的通流能力及熱容都遠遠優于鋁，因此IGBT5允許更高的工作結溫及輸出電流。同時芯片結構經過優化，芯片厚度進一步減小。

技能：

175℃工作結溫，1.5V飽和電壓，

輸出電流能力提升30%

因為IGBT5表面覆銅，并且在模塊封裝中采用了先進的.XT封裝工藝，因此工作結溫可以達到175℃。芯片厚度相對于IGBT4進一步減薄，使得飽和壓降更低，輸出電流能力提升30%。

名號：

E5，P5

目前IGBT5的芯片只封裝在PrimePACK?里，電壓也只有1200V，1700V，代表產品FF1200R12IE5，FF1800R12IP5。

真假李逵-TRENCHSTOP?5

在單管界，有一類產品叫TRENCHSTOP?5。經常聽到有人問H5、F5、S5、L5是不是IGBT5？嚴格意義來講并不是，雖然名字里都帶5，但是H5、F5、S5這些單管的5系列，屬于另外一個家族叫TRENCHSTOP?5。這個家族沒有“黃金甲”加持，基因也和IGBT5不一樣。

特征：

精細化溝槽柵+場截止

雖然都叫溝槽柵，但TRENCHSTOP?5長得還是和前輩們大相徑庭。它的溝道更密，電流密度更高。在達到[敏感詞]操作性能同時，并不具備短路能力。

技能：

175℃[敏感詞]工作結溫，高開關頻率，

無短路能力

性能和短路，永遠是一對矛盾體。為了追求卓越的性能，TRENCHSTOP?5犧牲掉了短路時間。TRENCHSTOP?5可以根據應用目的不同，取得極低的導通損耗，或者極高的開關頻率，開關頻率[敏感詞]可達70~100kHz，而導通壓降[敏感詞]可低至1.05V。

名號：

H5，F5，S5，L5

TRENCHSTOP?5目前只有650V的器件，并且都是分立器件。這一系列產品針對不同的應用進行了通態損耗和開關損耗的優化。其中H5/F5適合高頻應用，L5導通損耗[敏感詞]。TRENCHSTOP?5各個產品在折衷曲線上的位置如下圖所示。

后起之秀-IGBT6

6掌門雖然和4掌門之間隔了個5，但6其實是4的優化版本，依然是溝槽柵+場截止。IGBT6目前只在單管中有應用。

特征：

溝槽柵+場截止

器件結構和IGBT4類似，但是優化了背面P+注入，從而得到了新的折衷曲線。

技能：

175℃[敏感詞]工作結溫，Rg可控，3us短路

IGBT6目前發布的有2個系列的產品，S6導通損耗低，Vce(sat) 1.85V; H6開關損耗低，相比于H3，開關損耗降低15%。

名號：

S6, H6

IGBT6只有單管封裝的產品，例如：IKW15N12BH6，IKW40N120CS6，封裝有TO-247 3pin，TO-247 plus 3pin，TO-247 plus 4pin。

萬眾矚目-IGBT7

IGBT經數代，厚積薄發，2018年終于迎來了萬眾矚目的IGBT7。

特征：

微溝槽柵+場截止

雖然都是溝槽柵，但多了一個微字，整個結構就大不一樣了。IGBT7溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現5kv/us下的[敏感詞]開關性能。

更多IGBT7信息，請參考：1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統性能。

技能：

175℃過載結溫，dv/dt可控

IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%，可實現[敏感詞]175℃的暫態工作結溫。

名號：

T7，E7

代表產品有：FP25R12W1T7。T7專為電機驅動器優化，可以實現5kv/us下[敏感詞]性能。E7應用更廣泛，電動商用車主驅，光伏逆變器等。

一張表看懂

IGBT的前世今生

”

有道是，

江山代有才人出，各領風騷沒兩年。

7已經羽翼漸豐，獨擋一面，

8還會遠嗎？

讓我們拭目以待吧！

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