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瞬態(tài)抑制二極管P6SMB18A與國芯科技RSIC-V車規(guī)MCU:科技并進,守護未來出行安全
  • 更新日期: 2025-03-11
  • 瀏覽次數(shù): 968
在科技日新月異的今天,每一個細微的技術進步都可能成為推動行業(yè)變革的重要力量。近期,瞬態(tài)抑制二極管P6SMB18A的出色性能與國芯科技宣布啟動的首顆基于RSIC-V架構的高性能車規(guī)MCU芯片CCFC3009PT的設計開發(fā),共同展示了科技在電子保護與智能汽車領域的最新進展,預示著未來出行將更加安全、高效。
瞬態(tài)抑制二極管P6SMB10A與碳基微芯片:技術革新引領未來計算時代
  • 更新日期: 2025-03-11
  • 瀏覽次數(shù): 617
在科技日新月異的今天,每一個微小的技術進步都可能成為推動行業(yè)乃至整個社會變革的關鍵力量。近期,電子產品領域的瞬態(tài)抑制二極管P6SMB10A與新聞中報道的中國科學家在碳基微芯片領域的突破性進展,共同揭示了未來計算技術發(fā)展的新方向。這兩項看似不相關的技術,實則都在以自己的方式拓寬著科技的邊界,預示著一個更加智能、高效的計算……
薩科微瞬態(tài)抑制二極管P6SMB6.8A:為科技創(chuàng)新護航,迎接全芯微封裝技術新紀元
  • 更新日期: 2025-03-08
  • 瀏覽次數(shù): 880
在科技創(chuàng)新日新月異的今天,每一個微小的電子元件都是推動技術進步的關鍵力量。薩科微公司推出的瞬態(tài)抑制二極管P6SMB6.8A,以其出色的電氣性能和可靠的保護能力,為集成電路的安全運行提供了堅實的保障。與此同時,廣東漢旗半導體有限公司全芯微DFN/QFN封裝項目的正式動工,標志著我國在車規(guī)級芯片與第三代半導體封裝技術領域邁……
瞬態(tài)抑制二極管SMBJ6.8CA:在數(shù)字經濟浪潮中守護創(chuàng)新科技的安全脈搏
  • 更新日期: 2025-03-08
  • 瀏覽次數(shù): 896
隨著2025年政府工作報告的發(fā)布,回顧過去一年,我國在集成電路、人工智能、量子科技等前沿領域取得了顯著成就,為數(shù)字經濟的發(fā)展奠定了堅實的基礎。步入2025年,國家明確提出將進一步激發(fā)數(shù)字經濟創(chuàng)新活力,持續(xù)推進“人工智能+”行動,旨在通過深度融合人工智能技術,推動各行各業(yè)轉型升級,開啟智慧社會的新篇章。在這一波瀾壯闊的科……
瞬態(tài)抑制二極管SMBJ6.8A:守護電路安全,見證谷歌芯片開發(fā)新篇章
  • 更新日期: 2025-03-08
  • 瀏覽次數(shù): 647
在科技日新月異的今天,每一個微小的電子元件都是推動科技進步不可或缺的力量。瞬態(tài)抑制二極管SMBJ6.8A,以其精準的性能參數(shù),成為保護電子設備免受瞬態(tài)電壓沖擊的關鍵守護者。與此同時,全球科技巨頭谷歌在芯片開發(fā)領域的最新動向,正引領著AI與高性能計算的新一輪革新。本文將結合SMBJ6.8A的產品特性與谷歌在以色列擴大芯片……
瞬態(tài)抑制二極管SMAJ58A:在科技創(chuàng)新浪潮中守護電子設備安全——兼論韓國政府對高科技產業(yè)的強力扶持
  • 更新日期: 2025-03-08
  • 瀏覽次數(shù): 873
在當今這個數(shù)字化、智能化的時代,電子產品無處不在地滲透進我們的生活與工作之中,從智能手機到智能家居,從自動駕駛汽車到高性能服務器,每一項技術的背后都離不開對電子元件性能極致追求的努力。其中,瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor Diode, TVS)作為保護電子設備免受瞬態(tài)過電壓損害……
鎵仁半導體引領半導體技術革新:SMAJ12CA瞬態(tài)抑制二極管與8英寸氧化鎵單晶的雙重突破
  • 更新日期: 2025-03-06
  • 瀏覽次數(shù): 768
在科技日新月異的今天,半導體技術的每一次進步都深刻影響著全球電子產業(yè)的發(fā)展。2025年3月5日,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布了一項具有里程碑意義的成就——成功發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一突破不僅標志著鎵仁半導體在半導體材料領域的技術領先,也為中國乃至全球的半導體產業(yè)注入了新的活……
銀河芯片產業(yè)園投產在即:瞬態(tài)抑制二極管SLESD5Z5C引領技術創(chuàng)新
  • 更新日期: 2025-03-06
  • 瀏覽次數(shù): 735
近日,記者從北海高新區(qū)福成新區(qū)獲悉,備受矚目的銀河芯片產業(yè)園項目即將投產。該項目總投資高達25億元,占地500畝,是自治區(qū)“雙百雙新”產業(yè)項目的重要組成部分。作為集生產、研發(fā)與人才培養(yǎng)于一體的綜合性產業(yè)園區(qū),銀河芯片產業(yè)園的投產不僅標志著廣西在軍工電子及傳感器芯片領域取得重大突破,更將為區(qū)域產業(yè)升級注入強勁動力。
瞬態(tài)保護新紀元:SMBJ22A二極管攜手光子時鐘芯片,共筑科技安全與速度新高峰
  • 更新日期: 2025-03-06
  • 瀏覽次數(shù): 932
在科技日新月異的今天,每一個微小的進步都可能引領一場革命性的變革。近日,北京大學團隊在《自然·電子學》期刊上發(fā)表的一項突破性研究成果,無疑為全球的科技界投下了一顆震撼彈——全球首個光子時鐘芯片在中國誕生,這一創(chuàng)新不僅預示著6G網絡速度的飛躍,更將國產GPU的主頻推向了一個前所未有的高度。而在這場科技盛宴的背后,瞬態(tài)抑制……
TCL科技強化主業(yè)布局,瞬態(tài)抑制二極管SMBJ22CA助力半導體產業(yè)升級
  • 更新日期: 2025-03-06
  • 瀏覽次數(shù): 650
人民財訊3月3日電,TCL科技(000100)于3月3日晚間發(fā)布公告,宣布公司將通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式,向其重大產業(yè)基金收購深圳華星半導體21.5311%的股權。此次交易總金額高達115.62億元,其中現(xiàn)金對價72.03億元,發(fā)行股份對價43.59億元。交易完成后,TCL科技將合計持有深圳華星半導體84.2105……
瞬態(tài)抑制二極管SMBJ7.0A:電子保護領域的堅實后盾與中國光電探測技術的新飛躍
  • 更新日期: 2025-03-04
  • 瀏覽次數(shù): 781
在科技日新月異的今天,每一個微小的進步都可能引發(fā)行業(yè)的巨大變革。近日,中國研究團隊在寬禁帶半導體光電探測領域取得了重要進展,成功開發(fā)出一種同時具備超快、高靈敏響應的氧化鎵日盲光電探測器。這一突破不僅為深空探測、高精度火焰監(jiān)測等領域提供了全新的技術方案,也再次彰顯了中國在高科技領域的創(chuàng)新實力。與此同時,作為電子保護領域的……
瞬態(tài)抑制二極管SMBJ13CA:在AI限制背景下的電子元件穩(wěn)固之選
  • 更新日期: 2025-03-04
  • 瀏覽次數(shù): 701
隨著科技的飛速發(fā)展,人工智能(AI)已成為全球競爭的焦點。然而,近期瑞穗證券(Mizuho Securities)的一則預測引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注——重大的AI限制措施或將出臺,其中可能包括“全面禁止所有AI芯片進入中國,影響范圍涵蓋英偉達H20/B20等高端芯片以及部分傳統(tǒng)芯片(28nm+)”。這一消息無疑給依賴進口芯……
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