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技術交流

Technology Exchange
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AI BMS管理方案,能否解決電池安全焦慮?
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 瀏覽次數: 2457
近兩年,隨著新能源汽車保有量的增加,新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關注的焦點,發生自燃也是“自帶光環”。 據國家應急管理部消防救援局的數據顯示,2022年第一季度,國內接報的新能源汽車火災共計有640起,同比上升32%,平均算下來,國內每天就發生超過7起新能源汽車起火事件。 ……
劃片工藝流程
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 瀏覽次數: 2180
晶圓經過前道工序后芯片制備完成,還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來,最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同: 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割; 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……
簡述晶圓減薄的幾種方法
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 瀏覽次數: 2728
減薄晶片有四種主要方法,(1)機械研磨,(2)化學機械平面化,(3)濕法蝕刻和(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成:研磨和蝕刻。為了研磨晶片,將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄,而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。 打磨 機械研磨 機械(常規)磨削–該工……
IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 瀏覽次數: 3112
IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連,形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展,許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前,常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是
關于BMS的AFE
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 瀏覽次數: 7030
AFE概述 BMS中芯片選型最重要的非AFE莫屬了。可以說AFE 的方案直接決定了整個BMS 的系統方案。下面針對現在通用的BMS方案,做一下總結,聊一下具有代表性的幾個大廠的AFE。 TI方案 說到關于半導體行業的大佬,TI真是應有具有。TI的AFE也比較強大,從低壓到高壓覆蓋面也很廣了。下面聊一聊 1串~4串的AFE有BQ40z50-R1,適用范圍:筆記本電腦、醫療與測試設備、便攜式儀表。 圖片來源于TI官網 BQ76
網格劃分類型與算法
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 瀏覽次數: 3552
網格方案的選取和網格質量是CAE仿真分析的支點,沒有網格就沒有數值計算。網格沒有認真對待,你給我一個結果,我也不相信。 ……
SiC IGBT研究進展與前瞻
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 瀏覽次數: 2818
摘 要 ……
全面解讀標準AEC-Q200:被動元器件需要做哪些可靠性測試?
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 瀏覽次數: 2404
描述 被動元器件又稱為無源器件,是指不影響信號基本特征,僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件,區別于主動元件。而國內此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內無需電源驅動且自身不耗電,僅通過輸入信號即可作出放大,震蕩和計算的反應,而不需……
電池管理系統BMS主要功能規范
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 瀏覽次數: 2792
高壓上下電管理 高壓上電管理:BMS進行自檢狀態,通過檢測后等待VCU上電指令,在接收到VCU上高壓電指令后,BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充,當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%,預充完成,閉合主正繼電器,延遲一段時間后,斷開預充繼電器,高壓上電完成,進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態,或者……
雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試方法研究
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 瀏覽次數: 1827
摘要 與傳統單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面傳導熱量,其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發與熱界面材料選型,同時對比研究模塊壓裝方式,開發出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結構熱測試方法,可實現單面熱阻測……
MOS工作原理及失效分析
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 瀏覽次數: 2898
MOS管是金屬(metal)氧化物(oxide)半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬絕緣體(insulator)半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
PCB布線要點 整理
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 瀏覽次數: 2893
根據 50 歐姆阻抗線寬進行布線,盡量從焊盤中心出線,線成直線,盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線,推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的,請嚴 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如,一個放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

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