華為在歐洲、亞洲和北非地區等重點區域啟動數字能源俱樂部全球巡展。此次全球巡展旨在展示其在能源數字化方面的最新技術，包括智能光伏、數據中心能源、站點能源和模塊電源。隨著數字化的快速發展，萬物感知、互聯互通、更加智能，隨之也帶來了部署和維護成本高、部署周期長、功耗大等挑戰。華為數字能源部門將能源技術與數字技術相結合，提供極……

最近拿到LPC55S69-EVK開發板，打算做點有趣的東西，費盡心思想出了這個： 物趣系列 簡單介紹下，物趣系列的最終目標是實現基于55S69的智能識別，貓貓狗狗之類的，能支持到多少種“物”，看具體進度。 物趣系列技術路線：OV7670采集圖像?1.77寸TFT屏顯示?ESP8266上傳……

1. 前言 隨著電動汽車在市場上的顯著加速，品牌、細分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地擴大電驅動系統適用性就顯得及其重要。電驅動系統，如大批量生產的EMR3(第三代電驅動系統)和目前正在開發的EMR4，在系統級采用了多標準優化方法進行設計。與上一代相比，EMR4提高了高達5%的效率，顯著提升了功率可擴展性，并……

汽車、人工智能（AI）、數據處理和智能終端等領域對半導體芯片的強勁需求不斷加速半導體產業的發展，預計到2030年將激增至8085億美元。 ，普華永道預測，2022年僅AI相關的半導體市場收入就將增長到300億美元以上，年增長率高達50%。 與此同時，半導體芯片變得更小、更快、更強大，并且在靈活性和功能性方……

運算放大器和比較器在外觀和原理圖符號上很相似，如果對標志進行打磨，很難區分兩者。 此外，許多初學者經常將運算放大器與比較器混淆，因為在某些應用中，運算放大器在許多電路中用作比較器。 本文分享了這些差異。 圖1 運放管腳示意圖 運放和比較器的功能表述如下 運算放大器，是一種用于信號調理的模擬……

MOS管發熱是電路中常見的問題，經常困擾著我們，接下來小編總結出了幾個MOS管發熱的問題及原因： MOS發熱有哪些原因,110不怎么熱，220V輸入時熱的很 問題不夠詳細，不過mos管發熱一般有這么幾種：1.負載過重，導致mos管過流發熱。2.推動激勵信號不足，導致mos管發熱。3.激勵信號過強，也會導致mos管發熱。一般mos管工作溫度都在120攝氏度以下，都可以工作的。 一般都不會超過70度吧 不是的，大部分的mos管最高工作溫度都在120度以下，不過不是絕對的，也有工作溫度低

最近功率電子比較熱門，我這邊把幾份材料的一些觀點梳理一下。 2022年是中國碳化硅使用的很重要的一個年份，主要是目前800V系統帶來了很多變化，具體從各個層面到底有哪些差異，我想根據梳理材料來和大家探討。 我們首先來說IGBT，其實在電動汽車領域特別要感謝英飛凌，在歐洲汽車企業沒進來之前，日……

什么是拓撲？所謂電路拓撲，就是電路中功率器件和電磁元件的連接方法，而磁性元件的設計、閉環補償電路的設計以及其他所有電路元件的設計都依賴于拓撲。最基本的拓撲有降壓（buck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開關電源拓撲……

摘要作為電源研發工程師，當然經常接觸各種芯片。 有些工程師可能對芯片的內部不太熟悉。 許多學生在應用新芯片時直接進入數據集的應用頁面，并根據推薦的設計構建外設。 就是這樣。 這樣，即使應用沒問題，也忽略了技術細節，也沒有為自己的技術成長積累更好的體驗。 今天以DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，詳細說明以下芯片的內……

DC-DC的電路比LDO會復雜很多，噪聲也更大，布局和layout要求更高，layout的好壞直接影響DC-DC的性能，所以了解DC-DC的layout至關重要。 1. Bad layout EMI，DC-DC的SW管腳上面會有較高的dv/dt， 比較高的dv/dt會引起比較大的EMI干擾； 地線噪聲，地走線不好，會在地線上面會產生比較大的開關噪聲，而這些噪聲會影響到其它部分的電路； 布線上產生電壓降，走線太長，會使走

電子器件是一個非常復雜的系統，封裝過程中的缺陷和故障也非常復雜。 因此，對包裝缺陷和故障的研究需要對包裝過程有系統的了解，這樣才能從多個角度分析產生缺陷的原因。 封裝失效的機理可分為過載和磨損兩大類。 過載導致的故障通常是瞬間的和災難性的； 磨損失效是累積性的長期損壞，通常首先表現為性能下降，然后……

前 言 我國在2020年9月明確了2030年碳達峰和 2060年碳中和的目標，未來四十年內實現凈零排放對中國而言將是一項具有挑戰性的任務。對于電機行業來說，電機在工業領域占有重要位置，據統計，我國電機每年耗電量占全社會總用電量的69%，約占工業用電的75%。因此減少電機生命周期內的碳排放，加速推進減碳進程，是電機……