在“追光實驗室”上海站啟動儀式上，阿斯麥（ASML）中國區總裁沈波笑言，隨著近年來半導體的社會關注度上升，ASML已經成功出圈，從一家只有業內人士了解的隱形冠軍，成為全民都能談論幾句的網紅公司，幾乎每天都能看到與ASML相關的報道和話題。ASML中國區技術總監高偉民甚至總結了媒體報道中對ASML的描述，他表示，專業媒體……

今天來說兩個問題：1、MOS管導通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會有這兩個問題？ 我們在最開始學習MOS管的時候，應該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實際應用電路，NMOS會有電流從S到D的情況，比如下面這個……

一家專門從事合成、實驗室培育的電子級鉆石材料的制造和應用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半導體、電信、消費行業和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出，這個行業突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強各行業電子產品的……

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。這類半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力，目前正成為國際競爭的新熱點。 金剛石作為超寬帶隙……

近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進入系統內，成為眾多手機、筆電產品的標配。同時，氮化鎵技術在消費類電源市場中的應用領域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術。 充電頭網已經累計拆解了近……

導讀：在不斷拓展的計時場景應用中，電子系統對計時元件提出了更高、更復雜的技術要求，而傳統的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點。其已經不能滿足所有應用領域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優勢將有機會替代傳統石英晶振，解決電子工程……

一直想給大家講講ESD的理論，很經典。但是由于理論性太強，任何理論都是一環套一環的，如果你不會畫雞蛋，注定了你就不會畫大衛。 先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過度電應力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>……

集成電路(Hall Effect IC)，霍爾效應傳感集成電路(Hall Effect Sensor IC)，霍爾傳感器(Hall Sensor)，霍爾電路，霍爾IC。Hall有時也被翻譯成霍耳，所以也可稱霍耳集成電路等。以下簡稱霍爾IC。 霍爾IC通常按輸出信號類型分為數字霍爾IC和線性霍爾IC。數字霍爾IC通……

一、3D封裝將成為主要工藝 轉自：智東西 近日，中國臺灣工業技術研究院研究總監 Yang Rui 預測，臺積電將在芯片制造業再占主導地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰。 過去十年各種計算工作負載飛速發展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應用需求，為了將更多功能 &……

mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因： 過流----------持續大電流或瞬間超大電流

電力驅動系統主要用在逆變器DC-AC中，將充電電池12V的直流電轉換成為驅動電機220V的交流電驅動電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個IGBT，從電池輸出高電壓后，需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網絡使用，例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用28個IGBT累計84個，其他電機12個IGBT，特斯拉總共用到9……

在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使……