RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學(xué)伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)中的一股強(qiáng)大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動(dòng)了開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來(lái)發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學(xué)深圳行業(yè)研究院首席科學(xué)家、院長(zhǎng)助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對(duì)RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運(yùn)用進(jìn)行探討

一、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴(kuò)散工藝制作成兩個(gè)高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個(gè)電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來(lái)了一個(gè)全新的發(fā)展契機(jī)，車用芯片AEC-Q驗(yàn)證中經(jīng)常會(huì)碰到什么問(wèn)題？金鑒實(shí)驗(yàn)室在下面的問(wèn)題上給大家一個(gè)答案。

SoC，系統(tǒng)級(jí)芯片，汽車系統(tǒng)級(jí)SoC主要面向兩個(gè)領(lǐng)域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來(lái)越模糊。隨著汽車電子架構(gòu)的演進(jìn)，新出現(xiàn)了網(wǎng)關(guān)SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關(guān)SoC不需要太強(qiáng)算力，不過(guò)S32G274A有4個(gè)Cortex-A53內(nèi)核，達(dá)到低端座艙的水準(zhǔn)。 英偉達(dá)Orin的內(nèi)部框架圖 Orin是一個(gè)典型的智能駕駛SoC

近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關(guān)注的焦點(diǎn)，發(fā)生自燃也是“自帶光環(huán)”。 據(jù)國(guó)家應(yīng)急管理部消防救援局的數(shù)據(jù)顯示，2022年第一季度，國(guó)內(nèi)接報(bào)的新能源汽車火災(zāi)共計(jì)有640起，同比上升32%，平均算下來(lái)，國(guó)內(nèi)每天就發(fā)生超過(guò)7起新能源汽車起火事件。 ……

晶圓經(jīng)過(guò)前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

減薄晶片有四種主要方法，（1）機(jī)械研磨，（2）化學(xué)機(jī)械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。 打磨 機(jī)械研磨 機(jī)械（常規(guī)）磨削–該工……

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過(guò)鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實(shí)現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展，許多金屬鍵合線被廣泛的應(yīng)用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是

摘 要 ……

描述 被動(dòng)元器件又稱為無(wú)源器件，是指不影響信號(hào)基本特征，僅令訊號(hào)通過(guò)而未加以更改的電路元件。最常見(jiàn)的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動(dòng)元件，區(qū)別于主動(dòng)元件。而國(guó)內(nèi)此前則稱無(wú)源器件和有源器件。被動(dòng)元件內(nèi)無(wú)需電源驅(qū)動(dòng)且自身不耗電，僅通過(guò)輸入信號(hào)即可作出放大，震蕩和計(jì)算的反應(yīng)，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進(jìn)行自檢狀態(tài)，通過(guò)檢測(cè)后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負(fù)、預(yù)充繼電器進(jìn)行預(yù)充，當(dāng)檢測(cè)到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預(yù)充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時(shí)間后，斷開(kāi)預(yù)充繼電器，高壓上電完成，進(jìn)入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測(cè)試工裝開(kāi)發(fā)與熱界面材料選型，同時(shí)對(duì)比研究模塊壓裝方式，開(kāi)發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測(cè)試方法，可實(shí)現(xiàn)單面熱阻測(cè)……