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以下觀點僅代表嘉賓本人立場，文章都已獲得本人授權發布，與本網站無關。?
CIS封裝技術
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2673
CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會占用很大的相機內空間。20世紀末晶圓級封裝(Wafer Level Package, WLP)技術逐步發展起來，其優勢在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關注。2007年3月，日本Toshiba公司首次展出采用硅通孔技術的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質量、有效降低寄生
TI 第二代雷達芯片深度剖析
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2718
車載雷達是高級輔助駕駛(ADAS), 無人駕駛核心傳感器之一，而車載雷達芯片是車載雷達的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車規級芯片為雷達小型化，高可靠性與穩定性，低成本提供關鍵途徑，其重要性不言而喻。 近期，TI公司正式上線下一代車規級高性能車載雷達芯片，AWR2944，同時發布與之配……
功率電子封裝關鍵材料和結構設計的研究進展
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 4299
摘要：傳統功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術為主，無法滿足第三代半導體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應用。為了解決這一問題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發展。對功率電子封裝技術中的關鍵材料和結構設計的研究進展進行了總結和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發展為金基釬料、瞬態液相連接材料、燒結銀等高導熱、……
碳化硅與硅相比有何優勢？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3143
描述 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發展，雖然硅仍然占據市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。 據總部位于法國的市場研究機構Yole Développement估計，到2025年SiC器件市場營收將占……
淺談電動汽車IGBT技術應用與發展
  • 更新日期： 2022-03-18
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20世紀中期出現了功率器件，經過近30年的發展，MOS和BJT技術的結合催生出IGBT技術。IGBT經過不斷更新，現已廣泛應用于車輛、焊接、航天航空等領域。本文介紹了IGBT的結構和工作原理，并對其在電動汽車領域的應用進行闡述，有助于從業者全面深入了解IGBT原理及其在電動汽車領域的技術發展。 隨著全球變暖和環境……
干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應
  • 更新日期： 2022-03-18
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如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個 小平臺 ，有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小平臺？ ……
《華林科納-半導體工藝》碳化硅MOSFET制造后爐前清洗的濕處理
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2951
引言 碳化硅(SiC)器件制造技術與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發展的領域很有意義。材料參數差異包括擴散系數、表面能和化學鍵強度，所有這些都可以在清潔關鍵表面方面發揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……
差模濾波與共模濾波分析
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 9181
低頻來自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測量不到。設置一個電感在功率線上，阻斷它出去，同時提供一個電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業測試時帶有 LISN（Line Im……
性能遠超AMD及蘋果？英特爾12代酷睿i9-12900K評測：牙膏擠爆，真的很強！
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2312
今年10月28日，在英特爾ON技術創新峰會上，英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺式機處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達16核與24線程的規格，全新處理器可為游戲發燒友和專業創作者釋放更高的多線……
老司機總結：模擬電路設計的11個細節
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2528
模擬電路設計需要扎實的模電基礎以及豐富的經驗積累，這里，我們分享一位模電老工程師的總結，幫助大家在設計中少踩坑，少走彎路 ，覺得好的點個贊啊！ 1. 系統定義 ??系統定義是模擬電路設計的基本前提。根據設計要求，模擬電路設計工程師需要對電路系統及子系統做出相應的功能定義，并確定面積、功耗等相關性能的參……
拆解報告：TEKA鐵甲65W氮化鎵無線智能充電器
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2598
近兩年來，氮化鎵在消費類電源領域的發展迅速，無論是高性價比的高頻QR反激拓撲還是主打高性能的有源鉗位反激，亦或是百瓦大功率專用的LLC，市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。 當然，技術的成熟也會讓產品的性能和賣點都面臨著同質化的問題，為了尋求產品的更多差異化，電源廠商也是絞盡腦汁。比如，近日充電頭網就拿……
開關電源各種拓撲結構的特點
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2391
1、基本名詞 常見的基本拓撲結構 ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基……

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